李东临
- 作品数：27 被引量：27H指数：3
- 供职机构：北京石油化工学院数理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市优秀人才培养资助更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律被引量：1
- 2008年
- 研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=(2k+1)ωc/2,填充因子出现奇数.
- 商丽燕林铁周文政郭少令李东临高宏玲崔利杰曾一平褚君浩
- 关键词：填充因子磁输运
- 玻璃衬底上氮-铟共掺ZnO的制备及表征
- 2008年
- 以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,采用超声喷雾热分解方法在普通玻璃衬底上沉积了氮-铟(N-In)共掺杂ZnO薄膜。并采用X射线衍射、场发射扫描电镜、霍尔效应、透射光谱等分析方法,研究了N,In共掺杂和沉积温度对ZnO薄膜的晶体结构、成分及含量、形貌、电学性能、光学性能的影响。结果表明:通过氮-铟共掺杂,ZnO基薄膜具有良好的的电学性能,但是均为n型导电,与相关文献中的结果完全相反。
- 韩彬武光明邢光建王怡江伟李东临
- 关键词：ZNO薄膜
- 大学物理实验新课程体系和目标培养的改革与实践
- 本文介绍了我院为适应新世纪人才培养的战略需要,结合本院实际,就大学物理实验课程体系及实施目标培养方面所进行改革与实践.
- 高德文王继红李东临吕爱君
- 关键词：大学物理实验课课程体系教学改革
- 文献传递
- InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究
- 2007年
- 研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-deHaas—SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.
- 周文政林铁商丽燕黄志明崔利杰李东临高宏玲曾一平郭少令桂永胜褚君浩
- Mg掺杂ZnO薄膜的结构及其光学性能研究被引量：8
- 2010年
- 利用射频磁控溅射技术在（100）Si和玻璃衬底上沉积系列Mg掺杂ZnO（x=0~0.20）薄膜,XRD分析结果表明,Zn1-xMgxO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜呈现出c轴择优生长特性,但随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小。当x=0.20时,薄膜出现（100）面衍射峰,薄膜的c轴择优生长特性减弱。SEM分析表明,x=0.10时,薄膜表面平坦光滑,晶粒大小均匀,结构更加致密,结晶质量最佳。紫外可见光透射光谱表明,Mg的掺入提高薄膜在可见光范围内的透过率;同时增大了薄膜的禁带宽度;室温PL谱分析显示所有薄膜均出现了紫外发射峰和蓝光发射带,且紫外发射峰和蓝光发光带都随x值的增加而蓝移。
- 郭瑞李东临王芳平王怡武光明邢光建
- 关键词：射频磁控溅射禁带宽度透过率
- 点光源条件下迈克尔逊非定域干涉条纹的分析被引量：1
- 2015年
- 迈克尔逊干涉仪常用于观察分振幅干涉条纹,但极少有人对条纹线型进行严格的分析讨论。笔者对点光源条件下迈克尔逊非定域干涉条纹的空间曲线方程进行了计算和分析,得到圆、椭圆、抛物线、双曲线和直线5种形式的条纹线型。进一步对产生不同线型的原因进行了分析计算,证明出现何种条纹与2个平面反射镜中虚光源的相对方位有关。
- 李东临杨硕赵昶于舸谭恩忠
- 关键词：迈克尔逊干涉仪非定域干涉等倾干涉等厚干涉
- In0．53 Ga0．47As／In0．52Al0．48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
- 2008年
- 研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
- 商丽燕林铁周文政黄志明李东临高宏玲崔利杰曾一平郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气
- InP基HEMT材料与器件研究
- 李东临
- 关键词：HEMT二维电子气散射机制
- Electron transport properties of InAlAs/InGaAs HEMT with an InAs layer inserted into the InGaAs channel
- An InAs inserted InP-based HEMT is grown by MBE system. Magneto-transport measurements have been carried out a...
- 李东临武光明高宏玲王宝强朱战平曾一平周文正
- 关键词：HEMT
- 量子点生长控制方法及控制设备
- 本发明实施例提供一种量子点生长控制方法及控制设备。属于量子点材料制备领域。该控制方法包括：将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中，在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波，使超声波...
- 武光明邢光建王怡赵昶李东临王芳平
- 文献传递
