朱海军
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家攀登计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性被引量：3
- 2000年
- 首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。
- 王海龙朱海军封松林宁东汪辉王晓东江德生
- 关键词：光致发光掺杂铍砷化铟
- 交叉蝴蝶结纳米结构的Fano共振效应用于表面增强相干反斯托克斯拉曼散射的理论研究
- 2017年
- Fano共振效应拥有独特的局域场增强效果,在表面增强相干反斯托克斯拉曼散射中,不同波长局域场增强空间位置相同的结构结合Fano共振效应,可以实现"混合频率共振模式",使得表面增强相干反斯托克斯拉曼散射总的增强因子得到大幅度提高。采用FDTD软件系统研究了对称的交叉蝴蝶结Au纳米结构的Fano共振效应,该效应使得交叉蝴蝶结结构中心位置附近的电场强度得到大幅度的增强,把该结构应用到表面增强相干反斯托克斯拉曼散射中,可以使表面增强相干反斯托克斯拉曼散射信号的增强因子高达10^(13),达到单分子检测的水平。
- 张祖银朱海军宋国峰
- 关键词：拉曼散射表面等离子体
- InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒
- 1999年
- 成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＩＳ）研究了ｐ 型ＩｎＡｓ 自组织生长的量子点的电学性质，测得２．５ 原子层ＩｎＡｓ 量子点空穴基态能级在ＧａＡｓ 价带底上约０．０９ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒，俘获势垒高度为０．２６ｅＶ．本工作首次利用ＤＬＴＳ测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒。
- 王海龙朱海军宁东陈枫封松林
- 关键词：自组织生长量子点DLTS砷化铟
- InAs/GaAs自组织生长量子点的应力效应
- 朱海军封松林江德生邓元明王海龙
- 关键词：量子点
- 具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法
- 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结...
- 宋国峰吴浩越李健江宇于海龙付东徐云朱海军
- 文献传递
- InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品
- 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/In...
- 宋国峰于海龙吴浩越徐云朱海军
- 文献传递
- 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响被引量：2
- 1999年
- 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.
- 王海龙朱海军李晴宁东汪辉王晓东邓元明封松林
- 关键词：自组织量子点硅均匀性
- 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器被引量：4
- 1999年
- 利用一种我们新近提出的ＭＢＥ自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射．与测得的光致发光（ＰＬ）谱对照，发现激射峰位与量子点的ＰＬ谱峰位基本吻合．不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点．在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的１／３（６０ｍＡ∶２００ｍＡ），我们给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法．
- 汪辉朱海军王晓东王海龙封松林
- 关键词：量子点激光器砷化铟
- 纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法
- 一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，该制备方法包括：对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发，蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上，在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结...
- 陈岩徐云韦欣李健陈华民朱海军宋国峰
- 文献传递
- 具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法
- 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结...
- 宋国峰吴浩越李健江宇于海龙付东徐云朱海军
- 文献传递
