戴君
- 作品数：15 被引量：106H指数：4
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 用从头计算法研究3d过渡金属掺杂TiO2的电子结构
- 采用平面波超软赝势方法研究了锐钛矿型TiO及3d过渡金属掺杂TiO的电予结构。计算表明,用3d金属替代TiO中的Ti将导致电子占据局域能级出现,随着所掺杂原子序数的提高,这种局域能级向低能方向移动:t态在掺杂TiO的光谱...
- 张勇唐超群戴君周文斌薛霞
- 关键词：金属掺杂态密度电子结构杂质态从头计算法
- 文献传递
- 用于微测辐射热探测器的纳米VO_2薄膜被引量：6
- 2007年
- 用离子束溅射和后退火工艺制备了一种适用于微测辐射热探测器热敏材料的新型纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜材料,薄膜具有平均粒度8 nm,在半导体相区具有电阻温度系数(TCR)为-7%/K,性能高于传统的VO_2材料(平均粒度为1-2μm,在半导体相区具有TCR约为-2%/K).基于纳米结构的VO_2薄膜材料的器件比基于传统的VO_2薄膜材料具有更高的性能,而两者的噪声基本相当.
- 何少伟黄鹰戴君赖建军王兴治易新建
- 关键词：无机非金属材料非致冷红外探测器
- Y_2O_3掺杂对WO_3压敏非线性及介电性能的影响被引量：5
- 2005年
- 在Y2O3掺杂量(摩尔分数)为0.2%～2%的范围内研究了Y2O3掺杂对WO3的非线性伏安特性及介电性能的影响.实验结果表明:随Y2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Y2O3掺杂量为0.8%附近达到最大值(3.61);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)也是先增大后减小,其最大值(1.16×104)出现在Y2O3摩尔分数为1.2%附近的样品中.测量了各样品的阻抗频率依赖关系,并由此估算了不同Y2O3含量样品的晶粒电阻,利用德拜弛豫关系式解释了Y2O3掺杂引起WO3介电常数与晶粒电阻变化的关系.Y2O3掺杂的WO3陶瓷是一种新型的压敏电容材料.
- 戴君唐超群张勇
- 关键词：介电常数
- Cu/TiO2复合陶瓷介电性能的研究
- 利用传统的陶瓷制备工艺制得了Cu/TiO复合陶瓷,并测量了试样的介电性能参数。材料晶界电阻的计算结果和介电常数图表明,随着复合Cu含量的增加,试样的晶界电阻减小,而介电常数增大。
- 戴君唐超群张勇周文斌薛霞
- 关键词：介电性能介电常数复合陶瓷TIO
- 文献传递
- 基于纳米/微米VO2红外探测器光电响应对比研究
- 新型纳米结构的二氧化钒(VO)热敏薄膜具有平均粒度为8nm 和在半导体相区电阻温度系数(TCR)为-6%～7%/K。而通常用于非致冷红外探测器的 VO具有微米结构,粒度为1～2μm、 TCR 约为-2%/K。采用同样的器...
- 何少伟黄鹰戴君赖建军王兴治易新建
- 关键词：红外探测二氧化钒微测辐射热计
- 文献传递
- 磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究被引量：2
- 2007年
- 主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.
- 戴君王兴治何少伟马宏易新建
- 关键词：氧化钒薄膜非制冷红外探测器磁控溅射
- 新型光电子材料氧化钒被引量：2
- 2008年
- 介绍了一种新型的光电子材料——氧化钒.在不同的温度下氧化钒可以在半导体-金属-绝缘体之间可逆转变,并且伴随相变的发生,该材料的光电特性也随之发生变化,在非制冷红外探测器和智能激光防护方面有着广泛的应用前景.
- 陈四海赖建军董珊戴君王鹏易新建
- 关键词：氧化钒相转变非制冷红外探测器激光防护
- 锐钛矿TiO_2及其掺Fe所导致的红移现象研究:赝势计算和紫外光谱实验被引量：78
- 2005年
- 采用平面波超软赝势方法研究了锐钛矿型TiO2 及Fe掺杂TiO2 的晶体结构和能带结构 ,计算表明Fe掺杂导致TiO2 电子局域能级的出现及禁带变窄 ,从而导致吸收光谱红移 .研究发现 ,t2g态在红移现象中起了重要作用 .紫外透射光谱实验证实了TiO2 掺Fe后吸收光谱红移和禁带变窄的理论预言 .
- 张勇唐超群戴君
- 关键词：禁带赝势红移平面波
- 化学镀镍在红外焦平面制作中的应用
- 2008年
- 在非致冷红外焦平面制作过程中引入化学镀镍实现光敏元阵列与读出电路的互连.该方法具有选择沉积、不需要外部电源的优点.在32×32非致冷红外焦平面阵列器件的制作中采用化学镀镍方法可实现超过85%互连成功率.测试结果表明:该方法被证实为一种实现焦平面和读出电路互连的简单、可靠的方法.
- 何少伟王兴治戴君陈四海赖建军黄鹰易新建
- 关键词：互连化学镀红外焦平面
- 用随机阻抗网络模拟纳米热致变色VO2薄膜的电阻温度特性被引量：2
- 2008年
- 用反应离子束溅射法制备了低相变点（45℃）纳米二氧化钒（VO2）薄膜,并利用随机阻抗网络模型来模拟其电阻-温度特性.在模拟过程中,该薄膜被等效为一个由半导体相和金属相微粒随机分布组成的复合系统.氧化钒薄膜电阻温度特性的模拟结果与实验测量值在整个温度变化范围（10～75℃）十分吻合.这一结果表明,氧化钒薄膜在温度变化过程中发生相分离,且半导体相微粒和金属相微粒之间相互竞争导致了氧化钒薄膜电阻的突变.
- 戴君王兴治何少伟黄鹰易新建
- 关键词：氧化钒体积分数
