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徐悟生

作品数:51 被引量:115H指数:6
供职机构:哈尔滨工业大学电子与信息工程学院电子工程系更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 48篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 45篇理学
  • 9篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 40篇晶体
  • 19篇晶体生长
  • 17篇铌酸锂
  • 15篇折变
  • 15篇光折变
  • 11篇全息
  • 11篇铌酸锂晶体
  • 8篇全息存储
  • 8篇光学
  • 7篇光折变效应
  • 7篇掺杂
  • 6篇引上法
  • 6篇光谱
  • 6篇ZN
  • 6篇FE
  • 5篇衍射
  • 5篇衍射效率
  • 5篇引上法晶体生...
  • 5篇光损伤
  • 5篇光折变性能

机构

  • 50篇哈尔滨工业大...
  • 25篇山东大学
  • 5篇北京玻璃研究...
  • 4篇长春光学精密...
  • 4篇哈尔滨师范大...
  • 2篇吉林大学
  • 2篇北京理工大学
  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇郑州大学

作者

  • 51篇徐悟生
  • 22篇徐玉恒
  • 19篇赵业权
  • 15篇王锐
  • 13篇王继扬
  • 9篇徐衍岭
  • 7篇刘欣荣
  • 7篇朱质彬
  • 7篇杨春晖
  • 5篇许士文
  • 5篇陈刚
  • 4篇许贵宝
  • 4篇邵宗书
  • 4篇许心光
  • 4篇王正平
  • 3篇石绍君
  • 3篇胡大伟
  • 3篇刘景和
  • 3篇李建利
  • 3篇孙程君

传媒

  • 14篇人工晶体学报
  • 11篇高技术通讯
  • 9篇压电与声光
  • 5篇硅酸盐学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇光散射学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 1篇2005
  • 7篇2004
  • 5篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 18篇2000
  • 10篇1999
  • 7篇1998
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铌酸钾锂晶体的生长及熔体成分配比的研究
生长KLN的籽晶;采用Czochralski法生长KLN晶体,研究KLN晶体的成分配比,确定KLN晶体最佳生长方法。
赵业权刘欣荣徐悟生
关键词:电光性能
文献传递
双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质被引量:9
1999年
采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5=48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶。Ce∶Fe∶LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe∶LiNbO3晶体。所测得(Zn,Fe)∶LN、(Ce,Fe)∶LN、(Mg,Fe)∶LN和Fe∶LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe)∶LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe)∶LiNbO3和(Mg,Fe)∶LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe)∶LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe∶LiNbO3晶体。
徐衍岭刘欣荣王锐徐悟生
关键词:双掺杂铌酸锂晶体光折变晶体生长
Cd∶PbWO_4晶体的生长及其性质被引量:2
1999年
采用提拉法生长了Cd∶PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40~50℃/cm和17~25℃/cm,生长速度2~3mm/h,转速为25~30r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷。Cd∶PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd∶PbWO4的发光效率为21.2p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7p.e/MeV。Cd∶PbWO4晶体的平均衰减时间约为10ns。以上结果表明。
刘欣荣徐衍岭杨春辉徐悟生徐悟生陈刚
关键词:钨酸铅晶体晶体生长
In离子在掺杂LiNbO_3晶体中的占位研究被引量:31
2004年
测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1~3个数量级。通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。
徐悟生许士文李宣东王岩徐玉恒
关键词:掺杂铌酸锂晶体吸收光谱红外透射光谱光损伤
掺锰KLN晶体的生长及性能的研究
2000年
Potassium Lithium Niobate (KLN) crystal belongs to tetragonal system and is ferroelectric crystal,which point group is 4mm and space group is P4bm .The melt point of KLN crystal is about 1050℃.KLN crystal possesses tungsten bronze structure and its structure general expression is(A 1) 2(A 2) 4C 4(B 1) 2(B 4) 8O 3.KLN crystal is full fill up tungsten bronze structure crystal,in which the light of transmission band is 0.35-5.0μm.KLN crystal has excellent electro optical and nonlinear property and is superior double frequency crystal material for blue light.KLN crystal also is acoustic surface wave and photorefractive material.KLN crystal cracks easily during it grows.But when KLN crystal is doped in Mn 2O 3 to grow Mn∶KLN crystal,the crystal crack is reduced and the photorefractive property of the crystal is enhanced.KLN system is solid solution system and not congruent composition.The compounding ratio of Mn∶KLN crystal which we grew is 47.4mol% Nb 2O 5,17.3mol% Li 2CO 3,35mol% K 2CO 3 and 0.1mol% Mn 2O 3.The purity of Nb 2O 5,Li 2CO 3,K 2CO 3 and Mn 2O 3 is all 99.99%.Czochralski method was used to grow Mn∶KLN crystal.The technical parameters include the axial direction temperature gradient,the crystal growth rate and the rotation rate.Mn∶KLN crystal with 6mm×8mm×20mm size was grown in the condition that the axial direction temperature gradient is 30℃-40℃,the crystal growth rate is 0.5mm/h and the rotation rate is 10-15r/min.KLN crystal is one dimension ferroelectrics crystal.It has a paraelectrics ferroelectrics phase transition point curie point.So the crystal needs to be polarized in manual work.The direct current field was used to force the self polarization Ps in the same direction and the crystal turn to single domain.Before polarization,the c face needs to be confirmed exactly.The platinum pole was pasted to the two surfaces of c face and the direct current voltage about 220V was added the pole as the polarization outer electrical field.The polarization temperature is 460℃ and the polari
赵业权徐悟生朱质彬
铌酸钾锂晶体的生长与极化的研究
1999年
采用不同成分配比,以 Czochralski 法生长铌酸钾锂( K L N) 晶体,研究生长工艺和成分配比对 K L N 晶体性能的影响。选用的轴向温度梯度为28 ~35 ℃/cm ,晶体的旋转速度为5 ~10r/min ;晶体的生长速度与 K L N 的生长原料的成分有关。采用场冷法对 K L N 晶体进行极化处理。极化电流密度为2m A/cm3 ,极化温度为460 ~340 ℃。生长出透明的没有裂纹的 K L N 晶体。
赵业权杨鑫宏徐悟生王春义李建立
关键词:非线性光学晶体引上法晶体生长铌酸钾锂晶体
Pr:Fe:LiNbO_3晶体光折变性能的研究被引量:2
2000年
在Fe :LiNbO3中掺进Pr6O11生长Pr :Fe :LiNbO3晶体。对晶体进行氧化 还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。测试结果Pr :Fe :LiNbO3晶体的响应时间缩短 ,信噪比提高 ,克服了Fe :LiNbO3 响应时间长 ,光电导和信噪低的缺点。以Pr:Fe
赵业权王锐徐悟生赵朝中
关键词:光折变性能衍射效率信噪比
氧化还原处理对Fe:LiNbO_3晶体光折变性能及热固定效果的影响被引量:2
2000年
在LiNbO3中掺进Fe2 O3生长了Fe :LiNbO3晶体 ,并对晶体进行氧化、还原处理。利用二波耦合的方法 ,测试了不同氧化还原处理的Fe :LiNbO3,晶体的指数增益系数、衍射效率及响应时间。测试了三种不同处理晶体热固定后的显影效率 ,记录了全息先栅的记录、热补偿及离子衰减过程。
孙程君许世文张中兆徐悟生徐玉恒
关键词:光折变效应热固定掺铁铌酸锂晶体
Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究被引量:10
2003年
在LiNbO3中掺入 3%MgO和 1%In2 O3(摩尔分数 ,下同 ) ,采用Czochralski法生长了 3%Mg∶2 %In∶LiNbO3晶体。极化后 ,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法 ,测试了晶体在 488.0nm波长下的抗光损伤能力 ,结果表明 :Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高 2个数量级以上。通过Li空位模型 ,研究了Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片 ,并采用m -线法测试了 y切型波导基片在 632 .8nm波长下的光损伤阈值 ,Mg∶In∶LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了
徐悟生许士文王锐徐玉恒
关键词:引上法晶体生长
Mn:Fe:LiNbO_3晶体的全息存储
2000年
铌酸锂 (LiNbO3 )晶体属于三方晶系 ,3m点群具有电光效应和非线光学效应 ,LiNbO3 晶体通过掺杂可以改变晶体的性能 ,如Fe :LiNbO3 晶体在光放大、全息存储、位相共轭等方面取得较好的应用效果。在Fe :LiNbO3 中掺进Mn2 O3 生长Mn :Fe :LiNbO3 晶体其各种性能参数较Fe:LiNbO3 晶体又有一定的提高。生长Mn :Fe :LiNbO3 晶体所用的原料为Li2 CO3 ,Mn2 O3 ,Fe2 O3 ,原料纯度皆为 99.99% ,LiNbO3 采用固液同成分配比。Mn2 O3 和Fe2 O3 的掺量皆为 0 .0 5mol% ,采用提拉法生长晶体 ,晶体切割成 8mm× 8mm× 5mm的晶片 ,放入Li2 CO3 粉中进行还原处理。放在Nb2 O5 粉中进行氧化处理。采用二波藕合光路测试Mn :Fe :LiNbO3 晶体的吸收系数 ,衍射效率和响应时间 ,以Ar2 +激光器作光源 ,λ =488nm ,晶体的吸收系可以近似表示为 :α=1Lln I总 -I反I透  式中α为晶体吸收系数 ,L为通光长度 (CM) ,I总 为激光总光强 ,I反 为激光反射光强 ,I透为透射光强。测试结果 :还原的Mn :Fe :LiNbO3 晶体α =6 .2 5cm-1,氧化的Mn :Fe :LiNbO3 晶体α =1 .87cm-1。以Mn :Fe :LiNbO3 晶体作为记录晶体 ,进行体全息数据存储。利用晶体光折变效应可以将干涉图案光强分布的变化实时转化为相应的折射率变化 ,即形成相位体全息图。
王锐徐悟生朱质彬
关键词:全息存储电光效应
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