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季家榕

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：国防科学技术大学光电科学与工程学院光子晶体研究中心更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇晶体
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇P型
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电化学制备
  • 1篇禁带
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇化学制备
  • 1篇碱性腐蚀
  • 1篇光子禁带
  • 1篇二维光子
  • 1篇二维光子晶体

机构

  • 2篇国防科学技术...

作者

  • 2篇张晚云
  • 2篇朱志宏
  • 2篇季家榕
  • 2篇叶卫民
  • 2篇袁晓东

传媒

  • 1篇电化学
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
电化学制备P型硅基二维光子晶体优化参数被引量：1
2005年
利用光刻技术与碱性腐蚀等工艺预写晶格图样,采用电化学腐蚀方法在P〈100〉型硅基底制备二维大孔硅光子禁带结构.结果表明:在预写有晶格图样的P〈100〉型硅基底上由电化学阳极氧化制备的二维大孔硅,其孔洞的生长速率、深宽比及表/侧面形貌与电解质配比方案及阳极电流密度均密切相关.在优化的电化学工艺参数下得到的空气洞阵列,具有近乎完美的二维四方晶格,晶格常数为3.8μm,孔洞直径约3.0μm,孔洞深宽约90μm,深宽比达30.该方法可用于制备在中红外或近红外波段具有完全二维光子带隙的光子晶体.
张晚云季家榕袁晓东叶卫民朱志宏
关键词：光子晶体
利用p型(100)硅片制备二维光子晶体的工艺被引量：5
2005年
采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术，在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体，其二维周期性结构的晶格常数为3．8μm，孔隙直径约3．0μm，孔隙深度超过80μm．在光刻、反应离子刻蚀及碱性腐蚀所刻印的V形尖坑阵列的基础上，采用优化的电化学腐蚀参数能制备出周期性好、深宽比大、表／侧面光滑的高品质光子晶体结构，并从理论上利用数值模拟的方法证明了该样品结构在归一化频率位于0．162～0．205ωα／(2πc)范围内存在光子带隙．
张晚云季家榕袁晓东叶卫民朱志宏
关键词：光子晶体光子禁带碱性腐蚀电化学腐蚀
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