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孙钦军

作品数:9 被引量:21H指数:3
供职机构:山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇微观结构
  • 4篇SIO
  • 4篇CUO
  • 3篇退火
  • 3篇纳米
  • 3篇溅射
  • 3篇发光
  • 3篇磁控
  • 2篇射频磁控
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇光致发光特性
  • 2篇发光特性
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇电泳
  • 1篇电泳沉积
  • 1篇氧化镁
  • 1篇荧光
  • 1篇溶胶

机构

  • 9篇山东师范大学

作者

  • 9篇孙钦军
  • 8篇李玉国
  • 4篇曹玉萍
  • 4篇石锋
  • 1篇王建波
  • 1篇庄惠照
  • 1篇石礼伟
  • 1篇薛成山
  • 1篇张秋霞
  • 1篇张洁珊
  • 1篇王强

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO_2复合薄膜微观结构分析
2008年
采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu,O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.NH3气氛保护下退火,随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙;后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑.
石锋李玉国孙钦军
关键词:微观结构退火半导体材料
注碳外延硅的荧光特性研究
2006年
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
李玉国孙钦军曹玉萍王强王建波张秋霞
关键词:离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心
射频磁控共溅射高温NH_3退火制备CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构
2008年
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成CuO结构,对其微观结构进行分析。随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高。样品于900℃和1 100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙,后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑。
石锋李玉国孙钦军
关键词:微观结构
氧化镁纳米粉体的制备与表征被引量:11
2007年
以硝酸镁为反应原料,硬脂酸为分散剂,采用溶胶凝胶法制备了MgO纳米粉体,并对其进行了XRD、TEM、FTIR表征.结果表明,制得的MgO颗料为椭球形,面心立方结构,粒径18nm,粒子分散均匀.
曹玉萍李玉国孙钦军
关键词:MGO纳米粉体溶胶凝胶法
CuO//SiO/_2纳米复合薄膜的制备和特性研究
纳米科学技术是21世纪科技产业革命的重要内容之一,其中纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。最近几十年,在氧化物母体上生长金属等纳米结构...
孙钦军
关键词:射频磁控溅射电泳退火
文献传递
电泳沉积法制备MgO薄膜被引量:6
2007年
采用电泳沉积法(EPD)在Si(111)衬底上制备出了MgO薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)谱、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了分析。结果显示所得样品为立方MgO多晶薄膜。
曹玉萍李玉国孙钦军
关键词:SI衬底电泳沉积
利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性被引量:3
2005年
在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒。用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究。经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射。
李玉国薛成山庄惠照石礼伟张洁珊曹玉萍孙钦军
关键词:纳米棒磁控溅射热氧化光致发光
CuO/SiO_2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
2009年
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
石锋李玉国孙钦军
关键词:微观结构光致发光特性
电泳沉积法制备CuO薄膜的微观结构分析被引量:1
2010年
在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜。用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备的CuO薄膜的组分基本一致,但形貌完全不同,前者是由非常均匀的CuO小颗粒(200nm)相连而成团簇状,后者是由一些大小均匀的半径约为200nm的CuO小颗粒和气孔相互交融紧密连接而成的条状或块状。电泳过程中氧化制备的CuO薄膜结晶质量较好。
石锋李玉国孙钦军
关键词:微观结构
共1页<1>
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