2024年8月21日
星期三
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
孙佳胤
作品数:
21
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
更多>>
发文基金:
国家杰出青年科学基金
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
更多>>
相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
更多>>
合作作者
王曦
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈静
中国科学院上海微系统与信息技术...
张恩霞
中国科学院上海微系统与信息技术...
武爱民
中国科学院上海微系统与信息技术...
张正选
中国科学院上海微系统与信息技术...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
13篇
专利
4篇
期刊文章
2篇
科技成果
1篇
学位论文
1篇
会议论文
领域
7篇
电子电信
1篇
自动化与计算...
主题
7篇
衬底
6篇
氮化镓
6篇
埋层
5篇
SOI
4篇
晶体管
4篇
绝缘
4篇
绝缘埋层
4篇
绝缘体
4篇
绝缘体上硅
4篇
半导体
4篇
场效应
4篇
场效应晶体管
4篇
衬底材料
3篇
单晶
3篇
单晶硅
3篇
氧化物电荷
3篇
图形化
3篇
热应力
3篇
晶体
3篇
晶体质量
机构
21篇
中国科学院
作者
21篇
孙佳胤
20篇
王曦
17篇
陈静
8篇
张恩霞
7篇
武爱民
6篇
张正选
3篇
贺威
3篇
钱聪
2篇
欧欣
1篇
金波
1篇
刘卫
1篇
林成鲁
1篇
陈猛
1篇
易万兵
1篇
朱建军
1篇
张国强
1篇
王建峰
1篇
杨辉
1篇
杨志峰
传媒
3篇
功能材料与器...
1篇
功能材料
年份
3篇
2009
6篇
2008
6篇
2007
4篇
2006
1篇
2005
1篇
2004
共
21
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
2007年
采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力,我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺,用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法,借助于SOI材料自停止刻蚀的优势,将衬底硅和埋氧去除,使得SOI的超薄顶层硅部分悬空,形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明,这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20%左右。
王曦
孙佳胤
武爱民
陈静
王曦1
关键词:
GAN
SOI
热应力
MEMS
抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中,源和漏的结深不同,漏极深度与顶层硅膜厚度一致,源极的结深小于顶层硅膜的厚度,体从源极下面与器件末端的体接触...
张恩霞
张正选
王曦
陈静
孙佳胤
文献传递
基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
2007年
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。
孙佳胤
陈静
王曦
王建峰
刘卫
朱建军
杨辉
关键词:
氮化镓
发光二极管的制作方法
本发明涉及一种发光二极管的制作方法,包括下步骤:采用具有六方晶格的外延衬底;在外延衬底表面生长发光层;采用导电支撑衬底;将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合;除去外延衬底。本发明的优点在于,采用具有六方晶像的外延衬底...
陈静
孙佳胤
王曦
文献传递
一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法
本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法,其特征在于包括如下步骤:选择一悬臂梁,所述悬臂梁具有一固定端和一自由端;在悬臂梁的上表面生长缓冲层,在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于,采用悬臂梁作为生长II...
陈静
王曦
孙佳胤
武爱民
文献传递
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法,属于微电子技术领域。由此可见,其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时,采用先进行高浓度深注...
张恩霞
张正选
王曦
孙佳胤
钱聪
贺威
文献传递
一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料,其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料;(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层;硅岛各平行边...
孙佳胤
陈静
王曦
文献传递
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
GaN材料是目前所有Ⅲ—Ⅴ族氮化物中研究最多的材料之一。该材料属宽禁带半导体,直接带隙3.4eV,在长寿命、低能耗、短波长半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高温微电子器件等方面有广阔的应用前景。推动GaN材料的...
孙佳胤
关键词:
柔性衬底
氮化物
宽禁带半导体
文献传递
基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法,属于微电子技术领域。由此可见,其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时,采用先进行高浓度深注...
张恩霞
张正选
王曦
孙佳胤
钱聪
贺威
文献传递
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
采用有限元方法,通过 ANSYS 软件模拟了体硅衬底上和 SOI 衬底上生长的 GaN 外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况.模拟结果表明 SOI 衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但...
王曦
孙佳胤
武爱民
陈静
王曦
关键词:
GAN
SOI
热应力
MEMS
文献传递
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张