吴连民
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长被引量：1
- 1994年
- 本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。
- 孟庆巨吴连民黄瑛杨慧陈佰军郎远涛
- 关键词：半导体薄膜
- HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究被引量：4
- 1992年
- 本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.
- 杨玉琨杨易赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰
- 关键词：热壁外延单晶碲化铅
- CdTe单晶薄膜的热壁外延被引量：1
- 1991年
- CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg1-zCdzTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延（Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE）是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底。
- 杨玉琨孟庆巨杨慧吴连民赵永生郑大方
- 关键词：单晶热壁外延CDTE真空沉积
- PbTe单晶薄膜的热壁外延被引量：2
- 1992年
- 介绍了一种简单的HWE装置和利用这一装置在BaF_2(111)面上生长PbTe单晶外延层的工艺。扫描电镜、X-光衍射和霍尔测量表明,PbTe单晶外延层是完美的。
- 杨玉琨吴连民杨易唐万新赵斌
- 关键词：单晶PBTE外延层
- 热壁外延制备n-PbTe/p-Pb_(1-x)Sn_xTe异质结
- 1995年
- 用改进的HWE装置，在BaF2衬底上制备n－PbTe／p－Pb_（1-x）Sn_xTe反型异质结的工艺及测试结果。SEM，XRD检测表明它是单晶异质结，I－U曲线表明它具有良好的整流特性。此外用C－U截距法测定了它的内建电势差Ud。
- 杨玉琨李文明于磊杨易吴连民徐跃徐立兴熊欣
- 关键词：热壁外延异质结
- 热壁外延（HWE）制备PbTe／PbSnTe异质结和超晶格被引量：1
- 1996年
- 本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，异质结具有良好的整流特性．通过Ｘ—光衍射求出了超晶格的周期．超晶格样品（２２２）衍射峰的卫星峰不对称，说明样品内有应变．
- 杨玉琨李文明熊欣于磊于泳杨易吴连民徐跃徐立兴
- 关键词：热壁外延异质结超晶格碲化铅
- 热壁外延ZnSe单晶薄膜
- 1991年
- 介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。
- 杨玉琨吴连民孟庆巨王海峰杨慧孙明岩
- 关键词：热壁外延硒化锌单晶
- 热壁外延被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了热壁外延的原理。
- 杨玉琨孟庆巨吴连民
- 关键词：热壁外延单晶
