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向鹏飞

作品数：5 被引量：4H指数：2
供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
发文基金：广东省自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 3篇等离子体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电子枪
  • 2篇蒸发制备
  • 2篇离子密度
  • 2篇ALN薄膜
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇氮化钛
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇等离子物理
  • 1篇电压
  • 1篇电压范围
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇栅压
  • 1篇直管
  • 1篇气相

机构

  • 5篇华南师范大学

作者

  • 5篇向鹏飞
  • 4篇蒙高庆
  • 4篇陈俊芳
  • 3篇符斯列
  • 3篇吴先球
  • 2篇张茂平
  • 1篇孙辉
  • 1篇樊双莉
  • 1篇赖秀琼
  • 1篇胡社军
  • 1篇史磊
  • 1篇熊予莹
  • 1篇赵文锋
  • 1篇李赟

传媒

  • 4篇华南师范大学...

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究被引量：2
2006年
采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响.结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.
张茂平陈俊芳蒙高庆向鹏飞史磊赖秀琼
关键词：氮化钛
等离子体辅助电子枪蒸发制备AlN薄膜及等离子体参数诊断
本文对等离子体辅助电子枪蒸发制备AlN薄膜及等离子体参数诊断进行了研究。文章采用离子束辅助电子枪蒸发沉积法在低温甚至室温下制备了AlN薄膜。离子束辅助电子枪蒸发沉积系统中离子源通过射频感应耦合的方式产生等离子体并被离子透...
向鹏飞
关键词：氮化铝薄膜等离子物理
文献传递
直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究被引量：2
2004年
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆
关键词：感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管化学气相沉积法等离子体参数
电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布
2005年
利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13.56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压+85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布.通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围.
蒙高庆陈俊芳向鹏飞熊予莹吴先球符斯列张茂平
关键词：电子束蒸发等离子体LANGMUIR探针离子密度电压范围栅压
等离子体辅助电子枪蒸发制备AlN薄膜及等离子体参数诊断被引量：1
2006年
采用射频TCP(Transverse coup led p lasm a)等离子体辅助电子枪蒸发技术首次在室温下制备了氮化铝薄膜,用傅立叶变换红外光谱仪分析了氮化铝薄膜红外光谱的特性.利用朗缪尔静电单探针诊断了射频TCP离子束辅助电子枪蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度的空间分布规律,并分析了气压对等离子体分布的影响.离子源口等离子体密度较大,但分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小,分布趋向于均匀.
向鹏飞陈俊芳蒙高庆胡社军吴先球符斯列李赟
关键词：氮化铝
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