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刘进进

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：北京师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇能级
  • 2篇电子性质
  • 2篇液相
  • 2篇能级结构
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米线
  • 2篇结构与电子性...
  • 2篇壳型
  • 2篇核壳
  • 2篇核壳型
  • 2篇非催化
  • 2篇半导体纳米晶
  • 2篇CDTE
  • 2篇催化
  • 1篇电化学
  • 1篇影响因素

机构

  • 5篇北京师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇李运超
  • 5篇刘进进
  • 2篇姜峰
  • 2篇姜峰
  • 1篇李永舫
  • 1篇温婧

传媒

  • 1篇化学进展
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线
本发明涉及无机材料制备领域，具体地，本发明涉及一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线。本发明的方法是以热解有机前驱体为合成路线，并利用配体调控诱导定位组装策略来合成CdTe纳米线；并以CdTe纳米线为...
李运超姜峰刘进进
半导体纳晶能级结构与电子性质的电化学研究被引量：2
2011年
了解半导体纳晶能级结构特征和电子特性是其在光电子器件中应用的基础,电化学循环伏安技术提供了一种获取上述关键信息的有效途径。本文系统介绍了利用循环伏安技术探测纳晶能级结构与电子性质的原理、方法以及局限;在此基础上,着重从纳晶能级结构与电子性质的影响因素及规律、纳晶电荷输运性质、纳晶电化学反应机理等方面,综述了该方向近年来取得的研究进展;最后指出了目前研究中存在的问题,并预测了今后的发展方向。
李运超温婧刘进进姜峰李永舫
关键词：半导体纳米晶能级结构电子性质
半导体纳晶能级结构与电子性质的电化学研究
李运超姜峰刘进进李永舫
半导体纳米晶能级结构及其影响因素的电化学探究
李运超刘进进杨万婷李永舫
一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线
本发明涉及无机材料制备领域，具体地，本发明涉及一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线。本发明的方法是以热解有机前驱体为合成路线，并利用配体调控诱导定位组装策略来合成CdTe纳米线；并以CdTe纳米线为...
李运超姜峰刘进进
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