刘从峰
- 作品数：24 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- Cd<,1>-xZnxTe晶格常数的测定
- 本文利用Cd1-xZnxTe晶体乌尔巴赫带尾吸收区内吸收系数α.=10cm<'-1>及α<,2>=20cm<'-1>对应的能量与组分的经验关系,测试了Cd1-xZnxTe晶体的Zn组分.实验结果表明:由红外透射光谱法获得...
- 涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣
- 关键词：CDZNTE红外透过率X射线衍射晶格常数
- 文献传递
- Everson腐蚀剂在表征碲锌镉材料位错中的应用被引量：1
- 2004年
- 位错密度是晶体材料的重要参数之一,碲锌镉晶体位错研究也一直是红外焦平面研究领域热点之一。由于外延材料对衬底晶向的要求,Everson腐蚀剂在表征位错密度参数方面得到了非常重要的应用,利用Everson腐蚀剂做的位错研究也取得了很多新成果。
- 刘从峰杨建荣
- 关键词：位错密度红外焦平面晶向衬底晶体材料
- (111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比分析
- 本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越...
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣
- 关键词：腐蚀坑位错密度化合物半导体
- 文献传递
- 一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法
- 本发明公开了一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物进行沉积反应，通过调节反应温度与时间来控制二硒化钒材料生长的层数与面积，得到高质量的层状二硒...
- 杨万丽陈鑫孙艳刘从峰戴宁
- 文献传递
- 碲锌镉表面腐蚀坑所对应缺陷的特性研究
- 2005年
- 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错。腐蚀坑的空间局限性特征和热处理后腐蚀坑密度(EPD)减少等实验结果表明,腐蚀坑更有可能对应某种微沉淀物缺陷,将目前常用腐蚀剂的EPD作为碲锌镉材料的位错密度是缺乏实验依据的。
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：碲锌镉位错
- 固液界面附近CdZnTe晶体组份分布及X-Ray测试
- 2005年
- 利用对垂直布里奇曼Bridgman法生长中的Cd1-xZnxTe晶体停电自然降温的方法获得了具有不同凝固速率的同一块单晶样品。通过红外透射光谱测量方法对停电自然降温前后的单晶区域进行比较,结果显示:停电自然降温后,在固液界面附近存在一个明显的组份过度区,正常凝固的晶体组份分布比较均匀,而快速凝固的结晶区域轴向组份分布梯度较大,同时,通过X-Ray测试结果进一步准确判断固液界面的位置。
- 涂步华方维政刘从峰孙士文杨建荣何力
- 关键词：X-RAY
- 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法
- 本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将...
- 邓惠勇郭建华邱锋孙艳刘从峰俞国林戴宁
- 文献传递
- 碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3
- 2009年
- 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
- 杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强
- 关键词：半导体技术液相外延
- 碲锌镉晶体第二相夹杂物特性研究被引量：1
- 2007年
- 高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红外透射形貌的描述和表征,碲锌镉晶体的常见夹杂物被分成了五类,并在此基础上讨论了各自的形成机制,A、B和C类夹杂物与化学配比及其变化密切相关,而D和E类夹杂物与源材料中或者在生长工艺控制过程中氧含量相关.进一步的研究表明大尺寸、高密度的Te夹杂物将会严重降低红外透过率,同时腐蚀坑密集分布在与Cd夹杂对应的六重对称线上,该结果揭示了第二相夹杂物会产生其他缺陷的增殖,但夹杂物引起的应力影响区域是局限的.
- 刘从峰孙士文方维政杨建荣何力
- 关键词：碲锌镉腐蚀坑碲镉汞红外焦平面
- 碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究被引量：5
- 2006年
- 大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在(111)B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在(111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。
- 刘从峰方维政涂步华孙士文杨建荣何力
- 关键词：腐蚀坑碲锌镉碲镉汞红外焦平面
