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冯亚瀛

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 8篇纳米
  • 8篇纳米棒
  • 8篇纳米棒阵列
  • 8篇ZNO纳米
  • 8篇ZNO纳米棒
  • 8篇ZNO纳米棒...
  • 5篇图案化
  • 5篇光刻
  • 5篇光刻胶
  • 3篇刻蚀
  • 3篇刻蚀技术
  • 2篇圆形孔洞
  • 2篇遮罩
  • 2篇双光束
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇冷阴极
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子学

机构

  • 9篇北京科技大学

作者

  • 9篇张跃
  • 9篇闫小琴
  • 9篇陈翔
  • 9篇冯亚瀛
  • 6篇郑鑫
  • 6篇申衍伟
  • 6篇李欣
  • 3篇孙国帅
  • 3篇冯韵迪
  • 3篇李峻野
  • 3篇徐佳亮
  • 3篇方思萦

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法
本发明公开了一种三光束激光干涉制备光刻胶模板的方法以及利用此方法制备图案化ZnO纳米棒阵列的应用，借助三光束激光干涉图案化技术，单次曝光快速生成大面积六角排列圆形孔洞模板，利用该模板对ZnO纳米棒阵列进行限域水热生长，从...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛郑鑫申衍伟
文献传递
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光...
张跃李峻野陈翔闫小琴冯亚瀛冯韵迪孙国帅徐佳亮方思萦
文献传递
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法
本发明一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明旨在促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长。其特征是：在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用长程扩束、大尺寸高反镜、...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛申衍伟郑鑫
文献传递
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用全光路介质全反射镜、防气流有机玻璃遮罩和低浓度多杯法显影三项技术，不仅避免了双光束激光...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛申衍伟郑鑫
一种制备图案化硅纳米井阵列的方法
本发明提供一种制备图案化硅纳米井阵列的方法，该方法采用三光束激光干涉光刻技术与金属催化刻蚀技术的结合来实现。本发明可以大面积制备图案化规则排列的硅纳米井阵列，而且还能实现阵列结构周期，纳米井直径，纳米井深度的精确调节。通...
张跃冯亚瀛陈翔李峻野方思萦徐佳亮孙国帅冯韵迪闫小琴
文献传递
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法
本发明一种<B>制备图案化</B><B>ZnO</B><B>纳米棒阵列的方法</B>，属于纳米材料图案化生长领域。本发明旨在促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长。其特征是：在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛申衍伟郑鑫
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法
一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用全光路介质全反射镜、防气流有机玻璃遮罩和低浓度多杯法显影三项技术，不仅避免了双光束激光...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛申衍伟郑鑫
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一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法
本发明公开了一种三光束激光干涉制备光刻胶模板的方法以及利用此方法制备图案化ZnO纳米棒阵列的应用，借助三光束激光干涉图案化技术，单次曝光快速生成大面积六角排列圆形孔洞模板，利用该模板对ZnO纳米棒阵列进行限域水热生长，从...
张跃陈翔闫小琴李欣冯亚瀛郑鑫申衍伟
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法
一种Si纳米井/ZnO纳米棒阵列二级结构的制备方法，实现了Si纳米井阵列刻蚀技术和ZnO晶体的水热法生长技术的结合，使ZnO纳米棒在Si纳米井中生长，得到了Si纳米井/ZnO纳米棒二级结构。优点在于：可以同时保证材料的光...
张跃李峻野陈翔闫小琴冯亚瀛冯韵迪孙国帅徐佳亮方思萦
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