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代波: 作品数：68 被引量：99H指数：5; 供职机构：西南科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地开放基金更多>>; 相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>

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一种碳化细菌纤维素/磁性复合吸波材料及其制备方法: 一种碳化细菌纤维素/磁性复合吸波材料，其特征是：由碳化细菌纤维素与纳米磁性材料复合组成，碳化细菌纤维素与纳米磁性材料的体积比例为1：20至5：1，纳米磁性材料是铁氧体或磁性金属及其合金中的一种。本发明采用碳化细菌纤维素与...; 代波邵晓萍任勇王改花蒋庆林; 文献传递

沉积温度对磁控溅射Ni_3Al-Cr薄膜微观结构及性能的影响被引量：1: 2013年; 通过磁控溅射分别在300、400、500和600℃下沉积了Ni3Al-Cr薄膜。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的晶体结构和表面形貌,通过方阻法检测了薄膜的抗腐蚀性能,采用纳米压痕表征了薄膜的硬度。结果表明,沉积温度对薄膜的微观结构、抗腐蚀及力学性能有重要影响。随着沉积温度的升高,薄膜晶粒及颗粒尺寸增大,300℃时形成尺寸均匀的立方体小颗粒,400和500℃时颗粒长大且致密堆积,600℃时部分颗粒过度长大。在400℃沉积的薄膜兼具最优的抗腐蚀性和力学性能。证明了方阻法表征薄膜抗腐蚀性能的可靠性。; 邢永燕魏贤华马拥军代波; 关键词：磁控溅射微观结构抗腐蚀性能

一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件: 本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期...; 代波李俊任勇; 文献传递

一种薄膜型热流传感器: 本实用新型提供了一种薄膜型热流传感器，属于热流传感器技术领域。该一种薄膜型热流传感器，包括传感器主体，所述传感器主体的顶面固定安装有两个导流垫，两个所述导流垫的外表面均连接有导线，所述传感器主体包括底层、中层与顶层，所述...; 陈浩王勇代波

一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法: 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法，该钉扎体系包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一被钉扎的铁磁层以及一作为钉扎材料的反铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉...; 代波蔡建旺赖武彦; 文献传递

放电等离子烧结Bi、Ce掺杂钇铁石榴石陶瓷的微观结构与磁性能: 2024年; 钇铁石榴石(Y_(3)Fe_(5)O_(12),YIG)是一种立方晶体结构的软磁铁氧体材料。YIG具有法拉第效应、低的铁磁共振线宽,在微波磁光领域具有广阔的应用前景。采用球磨法,通过预烧成功制备Y_(2.6-x)Bi_(0.4)Ce_(x)Fe_(5)O_(12)(x=0.1,0.2)粉末,再利用放电等离子烧结(SPS)将其在较低温度下制备成陶瓷。采用X射线衍射仪对陶瓷表面和内层进行了物相分析,采用扫描电子显微镜对粉体和陶瓷形貌进行观察,采用振动样品磁强计对样品进行了静态磁性能测试。实验结果表明,由于Bi元素的掺入,预烧温度降低到1050℃。利用放电等离子烧结方法,在1050℃、60 MPa、保温4 min条件下制备出孔洞少、表观密度为5.3585 g/cm^(3)和5.4469 g/cm^(3)的Bi,Ce-YIG陶瓷,实现了Bi,Ce-YIG陶瓷的低温快速烧结。Ce的掺入提高了Y_(2.6-x)Bi_(0.4)Ce_(x)Fe_(5)O_(12)(x=0.1,0.2)粉末陶瓷的饱和磁化强度(分别为23.01 emu/g、25.96 emu/g),有利于磁光器件的小型化。Bi,Ce-YIG陶瓷的铁磁共振线宽最低为140.5 Oe,有利于器件在微波应用中的低损耗。; 叶登建代波; 关键词：钇铁石榴石放电等离子烧结

一种NiZn铁氧体及其制备方法: 本发明公开了一种NiZn铁氧体，以氧化物计算，其原料包括：45‑55mol％的Fe2O3和5‑20mol％的ZnO，余量为NiO。本发明还公开了利用放电等离子体烧结系统制备Ni...; 代波刘桂香任勇张燕张小伟葛妮娜叶登建; 文献传递

一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法: 本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一保护层，其中还包括一设于缓冲层上的引导层、一设于引导层上的反铁磁层、一设于反铁磁层上的第一...; 代波蔡建旺赖武彦; 文献传递

铁电微管的制备与表征: 2011年; 采用化学浸润法在多孔硅模板上制备了锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)铁电微管,X射线衍射分析表明铁电微管为钙钛矿结构。运用扫描电子显微镜和原子力显微镜对铁电微管的微观形貌进行了观察,其结果显示两种方法所测得的铁电微管直径不同。利用压电响应力显微镜观察到了铁电微管的电畴图像,并测得了铁电微管的微区电滞回线。对铁电微管电畴和微区电性能的研究可为纳米结构铁电材料的新效应研究提供支持。; 刘敬松代波曹林洪霍冀川; 关键词：微观结构

反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应被引量：2: 2021年; 自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。; 罗健张小伟代波; 关键词：氧化镍薄膜反应磁控溅射反铁磁体