于广华
- 作品数：224 被引量：242H指数：8
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种霍尔自旋天平材料及元器件
- 本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。一种霍尔自旋天平材料，所述材料包括多层薄膜，由两个具有垂直磁各向异性的磁性层，中间被非磁性绝缘层隔离所组成；其中一磁性层被反铁磁层钉扎，另外一磁性层与一...
- 于广华王守国张石磊刘洋张静言滕蛟冯春
- 文献传递
- 新材料产业发展现状及趋势被引量：5
- 2008年
- 材料的结构功能复合化、功能材料智能化、材料与器件集成化、制备和使用过程绿色化是材料技术发展的重要方向。
- 曲选辉于广华
- 关键词：功能材料复合化智能化集成化
- 一种高磁电阻值NiFe薄膜材料及其制备方法
- 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有...
- 皇甫加顺于广华冯春腾蛟李宝河
- 文献传递
- 高分辨率磁旋转编码器磁鼓材料的研制被引量：7
- 2005年
- 采用磁浆涂布工艺制作了磁鼓涂层材料.研究了不同组分的配方对磁鼓涂层材料性能的影响,制备出性能良好的磁鼓.对φ32-40mm的磁鼓进行了充磁测试,写入了128和256 对极.采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整.
- 王海成王立锦冯春杨涛于广华
- 关键词：磁编码器涂布工艺
- 不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响
- 2002年
- 采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 。
- 李明华于广华朱逢吾姜宏伟赖武彦
- 关键词：织构界面粗糙度磁控溅射镍铁合金
- 巨磁电阻材料及其在汽车传感技术中的应用被引量：3
- 2003年
- 巨磁电阻材料是20世纪90年代新开发的一种功能材料。由于它与传统的各向异性磁电阻材料相比具有很高的磁场灵敏度等优点,关于它的研发在国际上倍受重视。巨磁电阻材料过去主要用于制作计算机硬盘读头,目前正向着更广泛的应用领域扩展。巨磁电阻(GMR)传感器元件由于灵敏度高、热稳定性好、成本低等优点而完全可取代霍尔及磁阻(AMR)元件,从而广泛应用在信息、电机、电子电力、能源管理、汽车、磁信息读写及工业自动控制等领域。在汽车传感技术上的应用是巨磁电阻材料的一个重要应用领域。
- 于广华朱逢吾赖武彦
- 关键词：巨磁电阻材料功能材料GMR
- SmCo磁记录薄膜中磁耦合作用的研究被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了Cr/SmCo/Cr结构的SmCo薄膜,实验结果表明:在低Sm含量(20.5%(原子分数))和高Sm含量(大于30.7%)的SmCo薄膜中都能形成SmCo5磁性相,在Sm含量较高的SmCo薄膜中同时还形成了SmCo2等非磁性相,非磁性相的存在对磁性相有隔离作用,从而降低了磁性晶粒之间的磁耦合作用。因此可以用提高Sm含量的方法来降低SmCo薄膜磁性晶粒之间的磁耦合作用。
- 李帅冯春李宁李宝河于广华孙文星
- 关键词：磁记录交换耦合稀土
- Ag和Ti底层对[Fe/Pt]_n多层膜有序化的影响被引量：8
- 2005年
- 利用磁控溅射的方法,在热玻璃基片上制备了以Ag,Ti,Cu,Cr,Pt和Ta为底层的[Fe/Pt]n多层膜,后经不同温度真空热处理,得到L10有序结构的FePt薄膜(L10-FePt).实验结果表明,以Ag和Ti为底层,通过采用基片加温,同时利用[Fe/Pt]n多层膜结构,可以促进FePt薄膜的有序化过程,使FePt-L10有序化温度从500℃降低到350℃.在较高的温度下退火,以Ag为底层对薄膜的磁性能影响较小,而以Ti为底层在高于500℃退火后,矫顽力明显下降.在400℃退火20min后,以Ag和Ti为底层的样品平行膜面的矫顽力分别达到597kA/m和645kA/m,剩磁比分别达到0·81和0·94,为将来FePt-L10有序相合金薄膜用于未来超高密度磁记录介质打下基础.
- 冯春李宝河滕蛟杨涛于广华
- 关键词：多层膜结构TIAG真空热处理
- Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中Pt插层对交换偏置场的影响被引量：1
- 2007年
- 在具有垂直磁各向异性Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中的Co/FeMn界面插入极薄的Pt层时,其交换偏置场有明显提高。研究结果表明:由于在Co/FeMn界面存在界面反应,破坏了(Pt/Co)n多层膜中靠近FeMn层的Co层的垂直磁各向异性,导致垂直交换偏置场Hex减弱。当在(Pt/Co)n与FeMn界面之间插入Pt层时可以有效地阻止这一反应发生,从而提高了多层膜的垂直交换偏置场Hex。
- 张睿刘洋金川于广华
- 关键词：交换偏置场垂直磁各向异性
- FePt基垂直复合薄膜材料的L10有序化研究
- 具有原子有序排列结构的L10-FePt垂直薄膜，成为超高密度磁记录硬盘、纳米复合永磁体以及诸多自旋电子学器件中的关键材料。目前，普遍采用高温退火的方式来实现L10有序化相变过程，这会导致FePt晶粒的长大、界面粗糙、原子...
- 冯春杨美音李许静龚奎徐川川詹倩于广华
- 关键词：磁记录材料动力学
