高积强
- 作品数：191 被引量：544H指数：14
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法
- 本发明公开了一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：氮化硅粉末50～70％、膨润土5～30％、烧结助剂0～10％、水20～30％。烧结助剂包括Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、A...
- 杨建锋高积强姜广鹏王欢锐乔冠军
- 文献传递
- 反应烧结碳化硅材料的高温氧化被引量：3
- 2002年
- 研究了反应烧结碳化硅材料 (RB SiC) 90 0℃的氧化过程以及制备参数和掺杂元素对氧化过程的影响。结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,除石油焦加入量较高的反应烧结碳化硅材料在氧化初期表现为质量损失外 ,其余均表现为质量增加 ,并且质量增加量与氧化时间遵循抛物线规律。掺杂Al和Ni元素可以提高碳化硅材料的高温抗氧化能力。氧化过程对反应烧结碳化硅材料的导电性能影响不大。对碳化硅材料的氧化机制及影响因素进行了分析和讨论。
- 吕振林李世斌高积强金志浩李贺军
- 关键词：反应烧结碳化硅高温氧化掺杂
- 不同pH值和F^-浓度人工唾液对钛/瓷结合的影响被引量：4
- 2007年
- 研究了不同pH值和F^-浓度人工唾液对钛/瓷结合性能的影响。将实验室制备的钛瓷粉分层烧结于钛片上,浸泡于37℃,pH2.7、pH7.0/F^-100μg·mL^(-1)与pH2.7/F100μg·mL^(-1)的人工唾液中,测量了浸泡7d和30d试件的三点弯曲结合强度,应用扫描电镜观察了瓷剥脱后钛表面的形貌,并进行了EDX分析。结果显示:pH2.7/F^-100μg·mL^(-1)组试件的钛/瓷结合强度明显低于未浸泡组,其余各组与未浸泡组相比无显著差异。研究结果提示:酸性环境中,F^-的存在可使钛/瓷结合强度降低,而酸性环境和低浓度的F^-环境对钛/瓷结合强度则没有明显影响,口腔内有钛瓷修复体的患者应慎用含氟口腔产品。
- 刘啸晨郭立童高积强郭天文王晓洁张惠张琳琳杨建峰
- 关键词：人工唾液
- 一种碳化硅发热元件冷端部的制造方法
- 本发明涉及一种碳化硅发热元件发热部陶瓷材料的制备工艺，包括12个工艺步骤，碳化硅、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉、硅粉的质量分数分别为0.3～0.9、0.05～0.5、0～0.2、0～0.1、0～0.3，分别添加醇溶、水溶性...
- 金志浩高积强乔冠军王红洁杨建锋
- 文献传递
- Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/TiAl复合材料合成方法
- Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/TiAl复合材料合成方法，首先将Ti，Al和TiO<Sub>2</Sub>制成混合物；在混合物中加入硬脂酸钠分散剂，采用干法球磨使其机械合金化，形成主晶相为TiAl...
- 朱建锋王芬高积强
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- 核反应堆控制材料—B_4C的研究被引量：15
- 1991年
- 本文通过试验确定了B_4C合成反应的最佳温度。x射线衍射分析表明:合成物为六方碳化硼和少量的游离碳,晶格常数测定及化学分析表明B/C小于4。分别采用常压烧结和热压烧结制成了B_4C陶瓷试样,测定和研究了不同烧结温度下,B_4C陶瓷的密度、气孔率、晶粒大小、抗弯强度及其相互关系,确定了B_4C的最佳烧成温度。用扫描电镜测定B_4C烧结体的晶粒尺寸为3～15μm,由膨胀仪测出B_4C的热膨胀系数为4.45～5.5×10^(-6)/℃。
- 王永兰金志浩郭生武高积强杨建峰李光新
- 关键词：反应堆B4C
- 陶瓷材料挤出成型工艺与理论研究进展被引量：14
- 2004年
- 挤出成型在各种陶瓷成型工艺中被认为是最合适生产等截面制品的低成本工艺。挤出成型可以在低温、低压下由陶瓷粉体混合物挤出长的线材、管材或片材。近年来 ,挤出成型在陶瓷及复合材料的制备工艺中受到越来越多的重视 ,目前的研究与开发工作主要集中在各种挤压浆料的制备、挤压新工艺的应用开发 ,对挤压过程的理论分析研究以及理论对工艺。
- 李媛高积强
- 关键词：陶瓷材料挤出成型复合材料
- 镍元素对反应烧结碳化硅导电性的影响被引量：2
- 1999年
- 研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响．结果表明，随含镍量的增加，反应烧结碳化硅的电阻率降低．随测试温度提高，含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数，但幅度减小．９００℃保温，随时间延长，电阻率几乎不变．这说明镍可改善反应烧结碳化硅的导电特性．同时还分析了镍的存在方式及其相结构．
- 吕振林熊流峰高积强金志浩
- 关键词：碳化硅导电性镍陶瓷
- 一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法
- 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35－55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫...
- 杨建锋于方丽高积强薛耀辉王波乔冠军
- 文献传递
- 临界负温度系数热敏电阻陶瓷材料及其合成方法
- 本发明为了解决现有临界温度热敏陶瓷所存在的临界温度低的问题，公开了一种适于高温范围应用的临界负温度系数热敏电阻陶瓷材料：按质量百分数，包括下述组分：Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 5～20％，Cr...
- 高积强梁森杨建锋罗明杨武柯高潮
- 文献传递
