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马通达

作品数:57 被引量:42H指数:4
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家创新方法工作专项更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 11篇金属学及工艺
  • 8篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 7篇应变弛豫
  • 7篇合金
  • 7篇弛豫
  • 5篇电镜
  • 5篇电源
  • 5篇复合材料
  • 5篇复合材
  • 4篇电子辐照
  • 4篇透射电子显微...
  • 4篇耐磨
  • 4篇高压电源
  • 3篇低应变
  • 3篇衍射
  • 3篇应变硅
  • 3篇射电
  • 3篇声发射
  • 3篇透射电镜
  • 3篇驱动接口
  • 3篇无损检测
  • 3篇马氏体

机构

  • 52篇北京有色金属...
  • 6篇中国科学院金...
  • 6篇中国科学院近...
  • 5篇清华大学
  • 3篇北京大学
  • 2篇国标(北京)...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国船舶重工...
  • 1篇有研科技集团...

作者

  • 57篇马通达
  • 20篇刘安生
  • 13篇屠海令
  • 13篇杜风贞
  • 12篇邵贝羚
  • 11篇张希顺
  • 11篇孙泽明
  • 11篇孙继光
  • 10篇张智慧
  • 9篇朱其芳
  • 9篇王福生
  • 9篇杜志伟
  • 7篇牟洪山
  • 7篇张东晖
  • 6篇胡广勇
  • 5篇张崇宏
  • 5篇樊志罡
  • 4篇朱祖铭
  • 4篇张红菊
  • 4篇郭延风

传媒

  • 5篇稀有金属
  • 3篇Journa...
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇第八届全国声...
  • 1篇科学通报
  • 1篇矿业研究与开...
  • 1篇核技术
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇腐蚀科学与防...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第二届全国扫...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇2004年中...
  • 1篇2015年全...
  • 1篇第二届全国扫...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
  • 7篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 3篇1999
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法
一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法,它包括:(1)根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征,按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置;(2)利用同步辐射单色光对样品进行双晶对称衍射获得摇摆曲线,得到应变硅异质结的衍射峰...
马通达屠海令胡广勇孙泽明邵贝羚刘安生
Si_3N_4复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制被引量:2
2000年
使用AEM和HREM研究了添加纳米SiC颗粒和同时添加纳米SiC颗粒及SiC晶须的两种Si3N4 复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制。结果表明 ,部分SiC颗粒分布在Si3N4 晶内 ,SiC晶须分布在Si3N4 晶粒之间 ,SiC颗粒和晶须与Si3N4 界面之间不存在第二相组织 ,非晶组织大多分布在Si3N4 三叉晶界。断裂裂纹主要沿晶界和相界面扩展 ,也可能穿过少数Si3N4 晶粒。当裂纹扩展遇到SiC颗粒和 /或SiC晶须时 ,会发生转弯 ,产生分枝裂纹或微裂纹并在Si3N4 晶内和Si3N4 晶粒的断裂表面引起晶格畸变 ,这降低了裂纹扩展能量 。
王瑞坤孙丽虹马通达朱其芳吴波于荣董利民
纳米集成电路用硅基半导体材料
2003年
随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
屠海令石瑛肖清华马通达
关键词:纳米集成电路绝缘体上硅锗硅SIGESOI
离子辐照的316L不锈钢中空洞密度的定量化电子显微镜测试被引量:1
2018年
316L奥氏体不锈钢经过高剂量氦注入及高能铁离子辐照后,产生高密度空洞.本文采用聚焦离子束(FIB)技术从辐照后的316L不锈钢试样上制备出透射电子显微镜(TEM)样品,通过TEM定量分析样品薄区的空洞密度及分布状态,进而计算出样品的辐照肿胀率.该定量表征结果的准确性依赖于样品薄区厚度的精确测量.然而,Kelly和Allen早期提出的基于会聚束电子衍射(CBED)的膜厚测量技术无法直接应用于TEM样品较薄微区的厚度测量(厚度<0.6ζ_g,ζ_g为衍射束g对应的消光距离).本文提出对同一样品较厚区域CBED花样进行测量拟合出特定衍射束的消光距离,再将该参数应用于待测薄区同一取向CBED花样的测量结果,从而估算样品薄区的厚度.讨论了CBED方法相对于电子能量损失谱(EELS)方法在透射样品厚度测量上的优势.以离子辐照后的316L不锈钢样品薄区厚度测量及空洞密度定量分析为实例,探讨了本文所提出的基于CBED技术的薄区厚度测量方案在实验过程中的主要影响因素及优化途径.
付新张崇宏张崇宏马通达贾荣光
关键词:透射电子显微镜离子辐照
场发射电子枪电源外壳
一种场发射电子枪电源外壳,它包括圆柱形的壳体,该壳体两端用盲盖密封;该壳体上设有输入端、充放气阀门和压力表。该输入端的端口为高压电缆连接端口;该端口为法兰结构,外侧设有密封通讯接口插座,内侧设有绝缘子。本实用新型场发射电...
张希顺马通达杜志伟张智慧杜风贞孙继光牟洪山刘安生黄玉生
锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究
e invention of Ge semiconductor transistors starts the microelectronic revolution.A vast amount of research wo...
屠海令肖清华苏小平马通达魏峰杜军
一种超声红外无损检测试块
本实用新型公开了一种超声红外无损检测试块,其包括:一基座,上下表面均为平面,在该基座上钻有一组深度互为不同的平底孔,各平底孔上部为用于螺栓连接的螺纹段,各平底孔下部为平底孔槽;一组对应拧入各基座平底孔内的螺栓,各螺栓包括...
李璞朱其芳马通达张东晖张红菊王福生
氮化镓异质结高能电子辐照的电子背散射衍射研究
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量的增加而增大,对应的表层应变或畸变戊小。扫描电镜能谱(S...
马通达左玉婷张智慧付雪涛张崇宏张丽卿王新强
关键词:高能电子辐照电子背散射衍射
一种表面合金化强化方法
本发明涉及一种表面合金化强化方法,包括(1)首先配制电镀液主盐溶液,以氯化亚铁、硫酸亚铁或者硫酸亚铁铵为主盐,加入强碳化物形成元素作为耐磨合金元素的盐,再加入抗氧化剂、消泡剂和光亮剂;(2)将耐磨减磨颗粒进行超声分散后加...
杜风贞马通达孙泽明朱其芳王福生刘安生张东晖
热处理及涂层处理对SiC<,f>/Al复合材料界面性能影响的研究
该文利用声发射(AE)多参数方法结合力学实验测定了经表面改性的SiC长纤维增强Al 其复合材料(SiC<,f>/Al)析界面性能,并运用冷场发射扫描电镜(JSM-6301 FE-SEM)对界面 结构进行了微观观察及分析....
马通达
关键词:声发射
共6页<123456>
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