马振昌
- 作品数：25 被引量：46H指数：3
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 磁控溅射ＳｉＯ＃-[2]薄膜工艺研究
- 宗婉华马振昌
- 关键词：溅射氧化硅薄膜生长
- 氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光
- 秦国刚马振昌张伯蕊付济时秦国毅乔永平段家宗婉华尤力平毛晋昌姚光庆张丽珠
- 该项目为研制出波长为340毫米的强紫外光多孔硅，是已报导的发光波长最短的多孔硅。项目提出光激发生在纳米硅中，而光发射发生在纳米硅外氧化硅层中或纳米硅/氧化硅界面处的发光中心（杂质和缺陷）上；不同发光带来自不同的发光中心，...
- 关键词：
- 关键词：多孔硅氧化硅纳米硅
- GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量被引量：1
- 2000年
- 用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .
- 孙伟田小建孙建国衣茂斌张慕义张玉清马振昌
- 关键词：砷化镓单片集成电路激光器驱动电路
- Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n^+-Si结构的电致发光研究被引量：1
- 2000年
- 利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n+ Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n+ Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n+ Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .
- 孙永科衡成林王孙涛秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光
- 兆位DRAM及GaAs存储器的发展
- 朱以南罗浩平马振昌
- 关键词：半导体存储器砷化镓性能分析半导体材料
- GaAs高速集成电路内部动态特性直接电光采样检测
- 1994年
- 研制成功GaAs高速集成电路直接电光采样测试系统.采用共轴反射式光路,对样品进行背面直接采样.用研制的微波探针在片驱动GaAs高速数字集成电路管芯,使之处于正常工作状态.测试系统的时间分辨率高于20ps,空间分辨率为3μm.利用该系统在片检测了GaAs高速数字集成电路动态分频器内部的高速电信号.
- 孙伟田小建贾刚孙建国衣茂斌马振昌王国全
- 关键词：电光采样砷化镓数字集成电路
- RF磁控溅射技术制备纳米硅被引量：1
- 2002年
- 利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。
- 马振昌宗婉华衡成林秦国刚吴正龙
- 关键词：磁控溅射射频纳米硅
- RF磁控溅射技术制备纳米硅
- 利用硅-SiO<,2>复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅不同的SiO<,2>薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析.结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子...
- 马振昌衡成林秦国刚吴正龙
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
- 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：3
- 1998年
- 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．
- 马书懿秦国刚马振昌宗婉华吴正龙姚光庆孟祥提
- 关键词：氧化硅薄膜光致发光
- 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光被引量：2
- 2000年
- 将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离子注入情况 ,只观察到 Au/ 1 0 50℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光 .低于 1 0 50℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅 ,无论离子注入与否 ,都未观察到电致发光 .Au/未注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光光谱在 1 .8e V处出现主峰 ,在 2 .4e V处还有一肩峰 .在 Au/ Si注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度分别增加了 2倍和 8倍 ;在 Au/ Ge注入富硅二氧化硅 / p- Si和 Au/ Ar注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度变化不大 ,但都观测到峰位位于 2 .2 e V的新发光峰 .采用隧穿 -量子限制
- 王艳兵孙永科乔永平张伯蕊秦国刚陈文台龚义元吴德馨马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光二氧化硅锗氩离子离子注入
