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陈晓峰

作品数:32 被引量:48H指数:4
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇晶体
  • 9篇坩埚下降法
  • 9篇下降法
  • 6篇闪烁晶体
  • 6篇离子
  • 5篇坩埚下降法生...
  • 5篇氯化
  • 5篇氯化镧
  • 5篇CE
  • 4篇晶体生长
  • 4篇光输出
  • 4篇掺杂
  • 3篇中子
  • 3篇铈掺杂
  • 3篇光学
  • 3篇发光
  • 3篇氟离子
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电热
  • 2篇电热设备

机构

  • 32篇中国科学院
  • 1篇宁波大学
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国计量学院
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇上海应用技术...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇国巨电子(中...

作者

  • 32篇陈晓峰
  • 25篇任国浩
  • 11篇李焕英
  • 11篇潘尚可
  • 9篇陆晟
  • 8篇张卫东
  • 7篇丁栋舟
  • 7篇胡行方
  • 6篇李中波
  • 5篇裴钰
  • 5篇沈勇
  • 4篇杨帆
  • 4篇田静芬
  • 3篇李智勇
  • 3篇冯鹤
  • 3篇沈定中
  • 3篇刘玮
  • 2篇殷之文
  • 2篇薛炫萍
  • 2篇胡美凤

传媒

  • 9篇无机材料学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 3篇2017
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料
本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用,属于闪烁材料领域。本发明组成为Ce<Sub>x</Sub>LaCl<Sub>3(1-x)</Sub>F<Sub>3x</Sub>或M<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y<...
任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟
文献传递
以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术
本发明以高纯碳、硅或锗单质粉末为脱氧剂,和CsI多晶粉末或CsI(Tl)碎晶块作为生长原料,烘干和充分混合均匀后,密封在铂金或石英坩埚中。采用Bridgman方法进行晶体生长。在特殊设计的下降驱动系统中,坩埚的下降速度控...
任国浩陈晓峰李中波丁栋舟薛炫萍齐玲君
文献传递
新型闪烁晶体Ce掺杂焦硅酸钇(YPS:Ce)的闪烁与热释光性能被引量:4
2010年
通过区熔法获得了铈掺杂焦硅酸钇闪烁单晶(Y_2Si_2O_7:Ce^(3+),简写为YPS),并对其闪烁与热释光性能进行了研究.对YPS:Ce闪烁晶体的透过、光输出和光衰减等光学和闪烁性能进行了表征,并对其综合性能进行了评价.其衰减时间为30.16ns,为目前铈掺杂焦硅酸盐闪烁晶体中最快的.并采用热释光测试技术,对YPS:Ce晶体中的缺陷进行了研究,发现在300~500K温度区间内一共有三个热释光峰,分别对应于三个缺陷,通过对二维(温度-光强)的拟合,确定了这三种缺陷的陷阱深度、振动频率等物理参数.并结合三维(温度-波长-光强)热释光谱,提出了YPS:Ce的热释光模型.
冯鹤丁栋舟李焕英杨帆陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩
关键词:热释光
稀土闪烁晶体的研究进展
闪烁体因能够将电离辐射能转化为紫外或可见光而被广泛应用于高能物理、核物理、核医学、工业-CT和安全检测领域。尽管闪烁体的应用领域很广,对晶体的性能要求也不尽相同,但高密度、快衰减和高的发光效率一直是闪烁体探索中所追求的三...
任国浩潘尚可陈晓峰李焕英吴云涛丁栋舟
以聚合物凝胶为电解质的多层全固态电变色器件的研究
1997年
本文在掺LiClO4与碳酸丙烯酯的聚乙二醇固体电解质离子电导特性与WO3、NiO薄膜离子插入性能研究的基础上,设计并制备了互补型WO3/NiO全固态电变色器件.同时研究了该器件变色过程的循环伏安特性与不同状态的可见、近红外透过特性.结果表明,互补型的WO3/PEG-LiClO4-PC/NiO器件在可见与近红外均具有良好的电变色特性,其漂白态在波长600nm的透过率为70%,着色态为20%.
陈晓峰胡行方李智勇田静芬
关键词:电解质电致变色器件高聚物凝胶
溅射总压对氧化钒薄膜的结构及电致变色性质的影响被引量:8
1999年
采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响.结果表明:当功率一定(3.8W·cm-2)时,在高气压沉积的V2O5薄膜中出现了微晶相,而在低气压沉积的薄膜中为非晶相.从循环伏安过程中实时记录的透过率变化曲线可见:随着Li+离子和电子的双重注入,薄膜在某一波长处的透过率前一阶段是增加或降低,而后一阶段却相反.含微晶相的薄膜上述现象更为明显,而且其储存Li+离子的容量也要大许多.应用能带结构理论定性地解释了V2O5薄膜复杂的电致变色现象.
王忠春陈晓峰李智勇胡行方
关键词:电致变色氧化钒薄膜光学性质磁控溅射
反应溅射氧化镍电变色薄膜被引量:3
1992年
本文研究高频反应溅射工艺制备氧化镍电变色薄膜及其光学性能.电变色性能良好的氧化镍薄膜具有“grey”的变色特性,并且具有较高的红外透过特性,当沉积在镀有 SnO_2∶F 导电薄膜的窗玻璃上,其漂白态的太阳透过率为70%,着色态为30%.同时,本文还提出了新的氧化镍薄膜电变色机理,即碱金属离子与电子的共注入和共抽出导致薄膜变色.
胡行方陈晓峰田静芬Hutchins Michael G.
关键词:氧化镍反应溅射
PbF_2晶体失透问题的研究被引量:1
2002年
对PbF2晶体在生长过程中的失透以及晶体在加工和储运过程中发生的失透现象进行了研究,认为晶体在生长过程中的失透是由于晶体生长时氧进入PbF2晶格中由八个氟原子所构成的六面体的中心位置,而晶体在加工和储运过程中的失透则是由于接触了水造成晶体表面部分PbF2由立方相转变为斜方相小晶粒所致.
李泽逵任国浩沈定中陈晓峰殷之文
关键词:相变晶体生长
氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料
本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用,属于闪烁材料领域。本发明组成为Ce<Sub>x</Sub>LaCl<Sub>3(1-x)</Sub>F<Sub>3x</Sub>或M<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y<...
任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟
文献传递
铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法
本发明涉及晶体领域,具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为:Li<Sub>6</Sub>Gd<Sub>1-x-y</Sub>Y<Sub>x</Sub>Ce<...
丁栋舟杨帆任国浩潘尚可张卫东陈晓峰
文献传递
共4页<1234>
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