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陈士荣

作品数:4 被引量:26H指数:3
供职机构:合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高校省级重点教学研究项目安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火
  • 2篇快速退火
  • 2篇教学
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇研究型
  • 1篇研究型教学
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇实验教学
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子工艺
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇课程
  • 1篇课程教学
  • 1篇课程教学改革
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备

机构

  • 4篇合肥工业大学

作者

  • 4篇陈士荣
  • 3篇梁齐
  • 2篇张彦
  • 1篇吕洪君
  • 1篇于宝证
  • 1篇余亮
  • 1篇李琳
  • 1篇王莉
  • 1篇刘磊
  • 1篇郭慧尔
  • 1篇文亚南
  • 1篇杨明武
  • 1篇刘声雷
  • 1篇汪壮兵
  • 1篇史成武
  • 1篇于永强
  • 1篇宣晓峰
  • 1篇杨文华
  • 1篇马明杰
  • 1篇尤玉

传媒

  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇实验室科学

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征被引量:3
2016年
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件(脉冲激光能量:90和140 rnJ;退火温度:100~400℃)下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明:脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比(Sn:S=1:1.03)、光吸收系数为10~5 cm^(-1)量级。
马明杰刘磊李学留陈士荣郭慧尔余亮梁齐
关键词:脉冲激光沉积快速退火光学特性
微电子工艺实验教学模式探索被引量:16
2008年
采用微电子工艺实验教学模式,即工艺实验教学由实际操作的工艺实验、工艺录像学习、器件与工艺仿真实验和多媒体辅助实验教学组成,阐述了具体内容。这种微电子工艺实验教学模式的建立,可满足本专业对微电子工艺实验的教学要求,有助于提高专业教学质量、提高学生的实际工作能力和专业素质、培养有竞争力的高质量的微电子人才。
梁齐杨明武刘声雷张彦陈士荣宣晓峰汪壮兵杨文华尤玉王莉
关键词:微电子工艺实验教学
“半导体材料”课程教学改革探索与实践被引量:4
2014年
本文根据我校近年来"半导体材料"课程教学实践过程中所积累的一些经验,对该课程教学改革探索进行了探讨。笔者在该课程教学过程中,应用研究型教学的理念与互动式教学方法,将教师的理论教学与学生的自主式学习有机结合,从而增强学生的自主学习能力和科研创新意识,提高教学效果。
张彦于永强陈士荣于宝证吕洪君
关键词:半导体材料教学方法研究型教学
射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜被引量:3
2012年
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。
文亚南李琳陈士荣史成武梁齐
关键词:射频磁控溅射快速退火多晶薄膜
共1页<1>
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