陈勇民
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：湖南省科技计划项目湖南省科技重大专项长沙市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻...
- 周继承李幼真赵保星陈海波刘正陈勇民
- 文献传递
- 铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响被引量：7
- 2009年
- 利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下,硅片厚度为120μm时,可获得最大的光电转换效率。
- 周继承李斐陈勇民赵保星
- 关键词：单晶硅太阳电池
- 一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺
- 本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接...
- 周继承赵保星李幼真陈勇民李莉荣林艳
- 文献传递
- 一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺
- 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可...
- 周继承赵保星李幼真陈勇民李莉荣林艳
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- 一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺
- 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可...
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- 用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5%～7.8%的Al、8.4%～11.5%的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta-Al-N扩散阻...
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- 晶硅衬底参数对太阳电池输出特性的影响被引量：8
- 2012年
- 利用晶硅电池模拟软件PC1D研究晶硅衬底的厚度、少子寿命及掺杂浓度对电池输出特性的影响规律。结果表明：晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的扩散长度有关,衬底厚度的减小有利于其开路电压的提高,存在一最佳厚度值使其转换效率、短路电流及填充因子最高;当少子的扩散长度远大于衬底厚度时,电池的输出特性几乎与衬底厚度无关;当衬底少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5~3.0时,电池的转换效率最高;晶硅衬底的掺杂浓度在5×1015~1×1017cm 3之间,即电阻率在0.2~3.0.cm范围内时,晶硅电池能获得良好的输出特性。
- 李幼真陈勇民
- 单晶硅太阳能电池铝背场的特性研究
- 单晶硅太阳电池铝背场的欧姆接触影响其输出特性，采用新的工艺技术降低电池的串联电阻势在必行。随着电池衬底厚度变得越来越薄，传统的丝网印刷工艺使铝背场难以继续发挥其优势，探索硅片特征参量与铝背场特性之间的内在联系也显得十分必...
- 陈勇民
- 关键词：太阳能电池直流磁控溅射丝网印刷
- 文献传递
