您的位置： 专家智库 > >

赵杰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇能谱
  • 1篇晶粒间界
  • 1篇俄歇电子
  • 1篇俄歇电子能谱

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇赵杰
  • 1篇孙勤生

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
1996年
采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。
赵杰张安康魏同立孙勤生
关键词：深能级瞬态谱晶粒间界多晶硅
多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析
1996年
利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡区产生的原因，并利用＂幸运载流子＂模型，定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。
赵杰张安康魏同立陈明华邵建新成巨龙
关键词：俄歇电子能谱多晶硅
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0