赵国庆
- 作品数：37 被引量：105H指数：6
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 环氧树脂上激光诱导局部化学沉铜被引量：9
- 1994年
- 用激光诱导化学沉积方法在非导体环氧树脂基体上实现微区局部、快速化学沉铜，并用卢瑟福背散射和扫描电镜方法对镀层的形貌、性质进行了观测和分析．激光的输出功率密度及照射时间决定了镀斑的面积和厚度．所得镀层比传统方法所得的化学镀层更致密．同时，由于激光照射引起的短时局部高温，使界面的金属原子向光照区基体内部扩散，得到的铜镀层与基体有较好的结合力．
- 王旭红郁祖湛赵国庆周筑颖
- 关键词：铜激光沉积环氧树脂化学沉积
- ^（16）O（α，α）^（16）O锐共振在加速器能量快速校刻及氧元素深度剖析中的应用
- 1994年
- 使用自动能量校刻程序辅助非卢瑟福背散射分析技术，实现加速器能量的快速校刻，并用１６Ｏ（α，α）１６Ｏ３．０３４ＭｅＶ锐共振精确测量了Ｗ／Ｓｉ样品的氧元素深度分布．程序的建议部分所采用的参数误差定量计算方法，简化了以往的能量校刻过程．
- 周颖耀何文权承焕生赵国庆周筑颖
- 关键词：加速器氧
- Cu、An薄膜镜面的激光辐射损伤研究被引量：1
- 1990年
- 本文研究了Cu、Au薄膜镜面的激光辐射损伤,得到了反射率随激光及样品有关参数变化关系的实验结果,并对激光辐射损伤的机制进行了初步的讨论。
- 赖祖武李培俊孙承纬刘仁和赵国庆
- 关键词：CUAU激光
- Au/Ni多层膜的原子学结构研究
- 1997年
- 利用嵌入原子势方法，完成了Ａｕ／Ｎｉ多层膜的分子动力学模拟计算．研究了Ａｕ／Ｎｉ多层膜中原子层数对多层膜界面的影响．探讨了原子层厚度和多层膜膜面取向对原子层间距。
- 张庆瑜赵国庆汤家镛马腾才
- 关键词：计算机模拟多层膜金镍
- 用^3He→D核反应分析Ti中的D
- 1995年
- 用Ｄ－＾３Ｈｅ核反应分析法分析中子发生器用ＴｉＤｘ靶中Ｄ的含量ｘ。并利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器测量了质子能谱，获得了该探测器的灵敏灵参量，仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应。对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算一实验现象一致。
- 周颖耀赵国庆周筑颖许卫东杨福家尤兴贵翟国良李宏发杨时礼赵鹏骥
- 关键词：NRA核反应分析中子发生器
- 卢瑟福背散射分析被引量：22
- 2002年
- 对卢瑟福背散射分析的基本原理作了概要的介绍。论述了背散射分析的最佳实验条件、质量分辨率和分析灵敏度。
- 赵国庆
- 关键词：卢瑟福背散射离子能量靶原子
- 氘化钛中氘扩散和表面复合行为研究被引量：10
- 1997年
- 用核反应分析（ＮＲＡ）、前向反冲分析法（ＥＲＤ）、背散射谱法（ＲＢＳ）等离子束分析方法研究了ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘的行为。结果表明，在以化学形式存在的ＴｉＤｘ／Ｍｏ样品中氘均匀分布。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ膜表面存在一层２６ｎｍ的氧化层，氧含量为１．４×１０１７ｃｍ－２。达到氘化钛大量明显分解温度（３４３℃）时，氘在氘化钛中扩散系数为２．３×１０－８ｃｍ２／ｓ，表面复合系数为１．９×１０－２７ｃｍ４／ｓ。扩散系数与温度呈指数关系Ｄ＝Ｄ０ｅ－Ｅ／ｋＴ。随着表面氧含量的增加，氘在氘化钛表面复合系数逐渐减小。在ＴｉＤ１．５／Ｍｏ样品表面镀上一层约８０ｎｍ的铜膜后，复合系数增大。
- 龙兴贵翟国良赵鹏骥李宏发伍怀龙周颖耀周筑颖赵国庆
- 关键词：电极
- 钛薄膜氢化及热释放特性研究被引量：8
- 2000年
- 用高能离子非卢瑟福背散射分析和前向反冲分析方法研究了C、O污染对Ti膜的吸放氢能力的影响。实验观测到 ,1 2 6× 1 0 16cm-2 C和 2 6× 1 0 16cm-2 O的双重污染可使Ti膜在 3 0 0nm的范围内存在着低的H浓度区 ,使氢的热释放温度大大提高。表面镀Ni可显著增强Ti膜的吸放氢能力 ,使H在Ti膜中均匀地饱和分布 ,同时 ,将H的热释放温度降到了热力学分解温度附近。
- 施立群周筑颖赵国庆
- 关键词：氢化吸氢放氢
- 高能离子注入硅的无损表征
- 1996年
- 将能量为3MeV,剂量为5×10^(15)cm^(-2)的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。
- 俞跃辉朱南昌邹世昌周筑颖赵国庆
- 关键词：高能离子注入硅
- 高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究被引量：1
- 1995年
- 将能量分别为３ＭｅＶ或５ＭｅＶ，剂量为１×１０１６ｃｍ－２的砷离于注入＜１００＞硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层．本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学５向应．在５００─４０００ｃｍ－１波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象．应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率．
- 俞跃辉邹世昌周筑颖赵国庆
- 关键词：硅离子注入自由载流子光学响应
