谭静荣
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅衬底注氮方法制备4.4nm SiO2栅介质及其特性
- 利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得4.4nm SiO<,2>栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N<,2><'+>注入后在Si/SiO<,2>中的分布及注入后热退火对该分布的影响;考察了不同...
- 许晓燕谭静荣黄如张兴田大宇张录
- 关键词：超薄栅介质氮离子注入软击穿击穿场强硅衬底
- 文献传递
- 3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2
- 2002年
- 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+
- 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴
- 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散
- 氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响被引量：1
- 2003年
- p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .
- 许晓燕谭静荣黄如张兴
- 关键词：多晶硅栅介质硼扩散CMOS
- 全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
- 2001年
- 报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .
- 万新恒张兴谭静荣高文钰黄如王阳元
- 关键词：SOIMOSFET场效应晶体管
- 3.4nm超薄SiO2栅介质的特性
- 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4...
- 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴
- 关键词：软击穿硼扩散MOS器件
- 文献传递
- 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
- 2004年
- 为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移 ,改善了 Si/Si O2 界面质量 ,提高了栅介质和器件的可靠性 ,制备出了性能良好的4 .6 nm超薄栅介质 .
- 谭静荣许晓燕黄如程行之张兴
- 关键词：注氮
- 超薄栅介质工艺及特性研究
- 该论文主要在超薄栅介质制备工艺、抗硼扩散和超薄栅介质厚度提取等方面开展了一些工作,具体如下：第一,采用硅表面在H<,2>SO<,4>／H<,2>O<,2>溶液中形成化学氧化层方法（起钝化作用）和氮气稀释热氧化制备出厚度为...
- 谭静荣
- 关键词：超薄栅介质特性分析
- 超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
- 2004年
- 在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
- 谭静荣许晓燕黄如程行之张兴
- 关键词：超薄栅介质量子效应
