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范启华

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇溅射
  • 2篇淀积
  • 2篇屏蔽罩
  • 2篇基片
  • 2篇基片温度
  • 2篇靶材
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇对向靶溅射
  • 1篇盘片
  • 1篇误码
  • 1篇误码率
  • 1篇码率
  • 1篇抗氧化
  • 1篇光层
  • 1篇保护层
  • 1篇AIN薄膜

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇范启华
  • 4篇洪源
  • 3篇张鹰
  • 3篇陈小洪
  • 2篇陈宏猷
  • 1篇金懋昌
  • 1篇曲建明

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
对称磁体磁控溅射源
本发明介绍了一种用于薄膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下：两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场，在内部永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极，并在它的上面安放着靶材，在外部永磁体和水冷溅射阴极...
范启华陈小洪陈宏猷洪源张鹰
文献传递
对称磁体磁控溅射源
本发明介绍了一种用于簿膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下：两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场，在内部永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极，并在它的上面安放着靶材，在外部永磁体和水冷溅射阴极...
范启华陈小洪陈宏猷洪源张鹰
文献传递
对向靶溅射AIN薄膜的研究
1991年
本文介绍了采用对向靶溅射装置,在较低的基片温度下(<70℃)制备AlN薄膜的方法。通过控制溅射气氛和成膜速率,可以得到符合化学式量比的优质AlN薄膜。将该AlN薄膜作为磁光薄膜的光学匹配膜,使磁光克尔旋转角从0.32°增加到0.72°。
范启华曲建明洪源
关键词：溅射
一种多层磁光记录介质
本发明公开了一种多层磁光记录介质，在盘基上附着磁光层，上、下保护层和铝反射层后，增加了一铬附加层。本磁光记录介质具有良好的抗氧化性能、优良的误码率和载噪比，铬附加层制作方便，盘片的使用寿命更长等优点。
陈小洪张鹰范启华金懋昌洪源
文献传递
一种新型溅射淀积装置
范启华
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