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胡冬冬

作品数：9 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇刻蚀
  • 3篇启辉
  • 3篇进气
  • 3篇进气结构
  • 2篇等离子刻蚀
  • 2篇真空
  • 2篇室内气流
  • 2篇气体
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇刻蚀系统
  • 2篇半导体
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体处理
  • 1篇淀积
  • 1篇压力梯度
  • 1篇体腔
  • 1篇筒身
  • 1篇气体分布

机构

  • 9篇中国科学院微...
  • 1篇北京泰龙电子...

作者

  • 9篇胡冬冬
  • 7篇夏洋
  • 5篇李楠
  • 5篇席峰
  • 5篇刘训春
  • 4篇张庆钊
  • 4篇李勇滔
  • 3篇李超波
  • 3篇屈芙蓉
  • 2篇汪明刚
  • 1篇夏洋
  • 1篇杨威风
  • 1篇郜晨希
  • 1篇刘杰

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2013
  • 4篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述...
席峰胡冬冬刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
文献传递
一种进气结构及等离子体工艺设备
本发明涉及等离子体工艺设备技术领域，具体涉及一种进气结构。所述进气结构，包括不锈钢进气管及设置在不锈钢进气管下方的圆柱形的匀气筒，匀气筒包括筒身及设置在筒身上端的台阶结构，匀气筒下端为封闭的，匀气筒的筒身上均匀分布若干匀...
席峰胡冬冬李楠汪明刚夏洋
文献传递
一种半导体设备进气装置
本发明涉及半导体刻蚀机、注入机系统技术领域，尤其涉及一种半导体设备进气装置。所述进气装置，用于将反应气体输送至反应腔室，所述进气装置包括：弯头，所述弯头的一端与提供所述反应气体的气源相连通；穿板通气件，所述穿板通气件穿过...
胡冬冬郜晨希李超波夏洋
文献传递
刻蚀系统工艺腔室
1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统工艺腔室。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4....
席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
文献传递
图形化蓝宝石衬底技术综述被引量：9
2012年
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。
汪明刚杨威风胡冬冬李超波夏洋
关键词：发光二极管内量子效率GAN外延生长
刻蚀系统机柜
1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统机柜。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4.最能...
席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
一种进气装置
本发明涉及半导体装置技术领域，具体涉及一种应用于等离子体处理腔室的进气装置。所述进气装置，包括进气管及设置在所述进气管管壁和/或底部的孔阵列。所述进气管的管壁为圆柱形，所述进气管的底部为平板形、半球形或类球形。采用本发明...
屈芙蓉胡冬冬刘训春刘杰李超波夏洋
文献传递
一种进气结构
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述...
席峰胡冬冬刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
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真空隔离阀装置
公开了一种真空隔离阀装置，包括：设置有方孔结构的阀体、密封部件、连接过渡部件及活动阀板；所述密封部件设置在所述阀体上端中央位置，用于半导体真空腔室之间连通时的密封；所述连接过渡部件通过所述密封部件与所述活动阀板连接，通过...
胡冬冬周宗义刘训春夏洋
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