田晨光
- 作品数：13 被引量：17H指数：3
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 放电等离子烧结工艺合成氮化铝钛－氮化钛复合块体材料
- 本发明是放电等离子烧结工艺合成致密氮化铝钛－氮化钛复合块体材料。原料组成及成分范围为：以Ti粉、Al粉、TiN粉为原料；三种原料的摩尔比为n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)＝1∶(0.6～1.4)∶(1.2～2.5)。...
- 梅炳初严明周卫兵朱教群田晨光王苹
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- 三元层状氮化物Ti<,2>AlN材料的合成及性能研究
- 作为一类十分重要的新型陶瓷材料，三元层状化合物一直被材料研究工作者所关注。通式为M<,n+1>AX<,n>(MAX)的这类三元层状化合物的结构相似，其中M为早期的过渡金属，A表示的是同一族的元素(绝大多的情况为IIIA和...
- 田晨光
- 关键词：陶瓷材料高温氧化性能导热性能导电性能
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- 放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料
- 本发明是放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料。本陶瓷材料的原料组成及成分范围为：以Ti、Al、TiN为原料，三种原料的摩尔比为Ti∶C∶TiN＝1∶(0.6～1.4)∶(0.7～1.8)。本陶瓷材料的制备工...
- 梅炳初严明周卫兵朱教群田晨光王苹
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- 块体Ti_2AlN多晶陶瓷的制备研究被引量：8
- 2007年
- Ti、Al和TiN粉按化学计量比配料,在原位热压(HP)和放电等离子(SPS)2种烧结工艺条件下可以合成单相块体Ti2AlN多晶陶瓷材料。通过X射线衍射(XRD)分析烧结产物的相组成。用扫描电镜(SEM)研究材料的显微结构特征。原位热压工艺合成Ti2AlN的最佳温度为1 300℃,烧结试样的密度为4.22 g/cm3,达到理论密度的97.9%;放电等离子烧结工艺合成Ti2AlN的最佳温度为1 200℃,烧结试样的密度为4.28 g/cm3,达到理论密度的99.3%。且晶体发育完全,结果紧密,具有明显层状结构。
- 严明梅炳初朱教群田晨光王苹
- 关键词：放电等离子烧结块体
- 三元层状氮化物(Ti_2AlN)陶瓷的研究被引量：3
- 2006年
- 综述了Ti2AlN陶瓷合成技术的研究进展,详细介绍了Ti2AlN的力学性能和电学性能。已见报道的Ti2AlN陶瓷的制备方法有热等静压法和振动致密化反应合成法。以单质Ti,Al,TiN粉为原料,按摩尔比1∶1∶1称量后混料,用原位热压的方法合成了Ti2AlN多晶块状材料。X射线衍射分析结果表明,当烧结温度为1000℃时,已经开始形成Ti2AlN相,但仍然有很多未反应的TiN和中间产物TiAl;随着烧结温度的提高,Ti2AlN的衍射峰逐渐增强;当烧结温度在1300℃时,仅有微弱的TiN衍射峰,产物已经近乎纯的Ti2AlN材料。
- 田晨光严明梅炳初
- 关键词：力学性能电学性能
- 原位热压工艺合成致密氮化铝钛－氮化钛复合块体材料
- 本发明是原位热压工艺合成致密氮化铝钛－氮化钛复合块体材料，其组成及成分范围为：以Ti粉、Al粉、TiN粉为原料；三种原料的摩尔比为n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)＝1∶(0.5～1.2)∶(1.1～2.4)。本材料的...
- 梅炳初严明周卫兵朱教群田晨光王苹
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- 放电等离子制备Ti_3AlC_2/TiB_2复合材料及性能被引量：5
- 2007年
- 采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺制备了Ti3AlC2/TiB2复合材料,并研究了复合材料的性能。研究表明:在1250℃,30MPa烧结8min,可以获得相对密度达98%以上的致密Ti3AlC2/TiB2块体材料;在Ti3AlC2中添加TiB2能大幅度提高材料性能,当TiB2含量为30%(体积分数,下同)时,Ti3AlC2/30%TiB2复合材料的Vickers硬度达到10.39GPa,电导率为3.7×106S/m;当TiB2含量为10%时,抗弯强度为696MPa,断裂韧性为6.6MPa.m1/2。用电子显微镜对复合材料的显微结构分析表明:Ti3AlC2/TiB2复合材料的晶粒为层状结构。
- 卢雪飞梅炳初周卫兵田晨光
- 关键词：放电等离子二硼化钛复合材料
- 放电等离子烧结工艺合成氮化铝钛－氮化钛复合块体材料
- 本发明是放电等离子烧结工艺合成致密氮化铝钛-氮化钛复合块体材料。原料组成及成分范围为：以Ti粉、Al粉、TiN粉为原料；三种原料的摩尔比为n(Ti)∶n(Al)∶n(TiN)＝1∶(0.6～1.4)∶(1.2～2.5)。...
- 梅炳初严明周卫兵朱教群田晨光王苹
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- 一种合成高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的方法
- 本发明是涉及一种高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的制备方法。一种合成高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)按Ti...
- 宋京红严明梅炳初朱教群田晨光
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- 一种合成高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的方法
- 本发明是涉及一种高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的制备方法。一种合成高纯Ti<Sub>4</Sub>AlN<Sub>3</Sub>块体材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)按Ti...
- 宋京红严明梅炳初朱教群田晨光
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