王忠华
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 分级退火在PZT铁电薄膜中的运用
- 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层.在衬底PZT(seedlayer)Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射Pb1.1(Zr0.3Ti0.7)O3...
- 王忠华赵维艳李振豪普朝光杨培志林猷慎
- 关键词：PZT铁电薄膜溶胶-凝胶法射频磁控溅射法红外探测器
- 文献传递
- 一种铂钛金属薄膜图形化方法
- 本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化方法，属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是：在光刻工序之后，将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中，浸泡30分钟后取出，再经烘干工序后，在显影液中浸泡2-3分钟，光刻胶在硅片上形成“倒...
- 信思树普朝光王忠华杨明珠杨培志
- 文献传递
- 快速退火对PZT铁电薄膜结构和性能的影响
- 采用射频磁控溅射方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出厚450nm的PZT铁电薄膜.在550℃、600℃、650℃和700℃下对PZT铁电薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射和原...
- 李振豪王忠华李琳信思树普朝光杨培志
- 关键词：锆钛酸铅铁电薄膜快速退火X射线衍射原子力显微镜
- 文献传递
- 一种铂钛金属薄膜图形化技术
- 本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化技术，属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是：在光刻工序之后，将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中，浸泡30分钟后取出，再经烘干工序后，在显影液中浸泡2－3分钟，光刻胶在硅片上形成“倒...
- 信思树普朝光王忠华杨明珠杨培志
- 文献传递
- 硅衬底上的铁电薄膜生长技术的研究进展
- 铁电薄膜具有良好的热释电性、压电性、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一.本文综述了近年来铁电薄膜及其制备技术研究进展,对比...
- 信思树普朝光赵维艳李振豪王忠华杨培志
- 关键词：硅衬底铁电薄膜非线性光学
- 文献传递
- 用于非制冷热释电红外探测器的PZT铁电薄膜研究被引量：2
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜．采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理．PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2．3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0．02,Fd=0．94×10-5Pa-0.5．
- 王忠华李振豪普朝光杨培志林猷慎
- 关键词：PZT
- 快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响被引量：5
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/S iO2/S i衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能。在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C.cm-2.k-1。
- 李振豪王忠华李琳普朝光杨培志
- 关键词：锆钛酸铅铁电薄膜快速退火X射线衍射原子力显微镜
