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文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇丙烯
  • 4篇丙烯酸
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅粉
  • 3篇碳化硅粉末
  • 3篇硅粉
  • 3篇粉末
  • 3篇改性
  • 3篇改性方法
  • 3篇表面改性
  • 3篇表面改性方法
  • 2篇栽培
  • 2篇树脂
  • 2篇水性
  • 2篇水性树脂
  • 2篇土栽
  • 2篇氢氧化
  • 2篇氢氧化铵
  • 2篇胭脂红
  • 2篇钴源

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇张志成
  • 5篇李志强
  • 5篇谭颖
  • 5篇潘振远
  • 5篇郭永利
  • 5篇牛艳奔
  • 3篇刘秀霞
  • 2篇窦艳丽

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种无土栽培用高吸水性树脂的制备方法
本发明属于一种无土栽培用高吸水性树脂的制备方法,先配置甲基丙烯酸与丙烯酰胺的混合溶液,然后加入氢氧化钙、氢氧化钾、氢氧化钠或氢氧化铵,调节pH值为6~8,混合均匀后,加入交联剂,加入量为丙烯酸单体重量的0.01%~1%,...
李志强谭颖牛艳奔郭永利张志成潘振远刘秀霞
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一种无土栽培用高吸水性树脂的制备方法
本发明属于一种无土栽培用高吸水性树脂的制备方法,先配置甲基丙烯酸与丙烯酰胺的混合溶液,然后加入氢氧化钙、氢氧化钾、氢氧化钠或氢氧化铵,调节pH值为6~8,混合均匀后,加入交联剂,加入量为丙烯酸单体重量的0.01%~1%,...
李志强谭颖牛艳奔郭永利张志成潘振远刘秀霞
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一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法
本发明属于一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法,先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1~5的混合溶液浸泡1~4小时;取出后,用去离子水冲洗干净并烘干,放入钴源,采用2~20M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照,取...
李志强谭颖牛艳奔郭永利张志成潘振远窦艳丽
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一种碳化硅表面改性方法
本发明涉及一种碳化硅表面改性方法。将碳化硅粉末焙烧用双氧水与浓硫酸混合溶液浸泡;取出用去离子水冲洗干净并烘干,再与偶联剂反应1~4小时,把碳化硅再放入丙酮溶液中,超声清洗、离心处理,反复进行2~5次,得处理好的碳化硅备用...
李志强谭颖牛艳奔郭永利张志成潘振远刘秀霞
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一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法
本发明属于一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法,先将碳化硅粉末用浓硫酸与双氧水体积比为1∶1~5的混合溶液浸泡1~4小时;取出后,用去离子水冲洗干净并烘干,放入钴源,采用2~20M Rad.的辐射剂量对碳化硅粉末进行辐照,取...
李志强谭颖牛艳奔郭永利张志成潘振远窦艳丽
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共1页<1>
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