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潘葳

作品数:14 被引量:17H指数:3
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家杰出青年科学基金国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
相关领域:理学机械工程文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 4篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇文化科学

主题

  • 5篇二极管
  • 4篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇等离子增强化...
  • 2篇电器件
  • 2篇载流子
  • 2篇生物科技
  • 2篇隧穿
  • 2篇气相外延
  • 2篇微结构
  • 2篇量子
  • 2篇量子逻辑
  • 2篇逻辑器件
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇共振隧穿
  • 2篇共振隧穿二极...
  • 2篇光电

机构

  • 14篇上海交通大学
  • 1篇佐贺大学

作者

  • 14篇潘葳
  • 6篇沈文忠
  • 4篇王瑗
  • 3篇周红
  • 2篇李向亭
  • 2篇王锦辉
  • 2篇钟思华
  • 1篇丁雄
  • 1篇余建波
  • 1篇徐如凤
  • 1篇窦葳
  • 1篇叶庆好
  • 1篇郭其新
  • 1篇王宇清
  • 1篇杨文明
  • 1篇沈学浩
  • 1篇王宇兴
  • 1篇叶曦
  • 1篇赵西梅

传媒

  • 2篇物理实验
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇2009年全...
  • 1篇第十八届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 2篇2004
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
慕课混合式实验教学模式的实践探索
本文主要介绍了在传统的实验教学方式中如何引进慕课这种新型教学模式.从实际上线后的结果分析慕课程在实验教学中的效果.
周红窦葳潘葳王锦辉杨文明叶曦王宇兴赵西梅余建波叶庆好
关键词:物理实验教学质量
半导体氮化铟(InN)的电学性质被引量:7
2004年
 本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。
潘葳沈文忠小川博司郭其新
关键词:氮化铟半导体材料载流子浓度迁移率
具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法
一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法,首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液,然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀,得到荧光量子/PVA混合溶液;接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子...
潘葳庞林娜沈文忠钟思华
文献传递
中心圆斑直径及环数选择对曲率半径测量的影响
采用CCD成像法研究牛顿环半径和级数的关系,通过origin作图详细分析中心圆斑直径,测量环教选择对曲率半径测量结果的影响.
潘葳周红王瑗沈学浩
关键词:牛顿环曲率半径
石墨烯量子点的光致发光光谱研究
<正>近几年,石墨烯量子点,由于良好的水溶性、生物低毒性、稳定而明亮的荧光等特点,而被广泛关注和研究。但不同制备方法得到的荧光石墨烯量子点展现出不同的的发光机理,使得石墨烯量子点的发光机制存在着很大的争议[1-2]。本文...
潘葳
文献传递
新型半导体材料的电输运特性研究
本文主要是利用不同外场条件下的直流和交流测量技术,借助于不同的理论分析手段,针对最近比较热门的两种新型半导体材料:硅量子点材料和氮化铟材料,研究了三种不同的结构--硅量子点/单晶硅异质结二极管结构,InN薄膜结构,InN...
潘葳
关键词:半导体材料电输运特性转移矩阵
基于发光二极管的普朗克常量的测量被引量:5
2010年
采用电流表外接法测量发光二极管的伏安特性,确定正向阈值电压;使用多通道光谱仪测量LED的光谱特性,确定与阈值电压对应的LED辐射光的峰值波长,从而计算出普朗克常量.发蓝光、红光及绿光LED测量结果表明h的理论值处于测量值的置信区间内.
王瑗潘葳李向亭
关键词:普朗克常量发光二极管伏安特性光谱特性
实验和趣味相结合——X光探测分析钱币组分
利用X光荧光光谱法探测分析钱币组分,提高学生对X光与物质相互作用的认识,增加实验趣味性,增强学生实验兴趣,加深其对实验内容的理解.
潘葳丁雄王宇清
文献传递
具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法
一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法,首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液,然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀,得到荧光量子/PVA混合溶液;接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子...
潘葳庞林娜沈文忠钟思华
文献传递
六方InN薄膜的载流子输运特性研究被引量:4
2004年
通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒模型的基础上 ,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度 ,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的 .从获得的InN薄膜晶界势垒高度 ,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度 ,结果与显微拉曼散射实验结果相一致 ,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性 .
潘葳沈文忠
关键词:载流子输运拉曼散射
共2页<12>
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