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浦双双
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15
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北京大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
郝志华
北京大学
黄如
北京大学
艾玉杰
北京大学
王润声
北京大学
范春晖
北京大学
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机构
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北京大学
作者
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艾玉杰
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黄如
15篇
浦双双
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郝志华
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王润声
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范春晖
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6篇
许晓燕
5篇
樊捷闻
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云全新
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王阳元
年份
1篇
2013
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2012
7篇
2011
4篇
2010
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一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
王润声
云全新
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
王润声
云全新
文献传递
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
许晓燕
一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括:制备化学机械抛光停止层;淀积氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜;将多晶硅薄膜加工成条状;在条状多晶硅的顶面...
艾玉杰
许晓燕
黄如
安霞
郝志华
范春晖
浦双双
王阳元
一种半导体纳米圆环的制备方法
本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法,该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶,然后基于泊松衍射的原理,通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光,得到圆环形的光刻胶,再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀,在衬...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
安霞
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括:首先在衬底上制备化学机械抛光停止层;然后淀积一氮化硅层,在氮化硅层上淀积一多晶硅层;随后将多晶硅加工成窄槽;再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如
浦双双
许晓燕
安霞
郝志华
范春晖
王润声
艾玉杰
文献传递
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
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郝志华
范春晖
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文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
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一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
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一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括:制备化学机械抛光停止层;淀积氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜;将多晶硅薄膜加工成条状;在条状多晶硅的顶面...
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