李福山
- 作品数：285 被引量：84H指数：5
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法
- 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循...
- 杨尊先郭太良李松李福山王灵婕徐胜张永爱
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- 基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极及其制备
- 本发明涉及一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极及其制备，该柔性电极包括形成有导电电极的基板，以及夹在AZO导电电极之间的石墨烯膜层，所述的石墨烯膜层夹在AZO薄膜之间，所述的柔性电极为夹层结构。本发明制备的柔性电...
- 郭太良李福山张蓓蓓吴朝兴陈景水于光龙张永志
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- 一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法
- 本发明提供了一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法，所述方法制得的薄膜封装结构从下至上依次设置有具有高水氧阻隔性能的可拉伸有机聚合物衬底、可拉伸有机光电器件和具有高水氧阻隔性能的无机/有机融合交叠薄膜封装层，高水氧阻隔层采...
- 周雄图陈桂雄张永爱郭太良林志贤吴朝兴李福山杨尊先
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- 基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的发射阴极及其制备
- 本发明涉及一种基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的场致电子发射阴极，其包括导电电极及位于电极表面的石墨烯/氧化锌纳米线复合纳米材料。所述的石墨烯/氧化锌纳米线复合纳米材料由尺寸为2~10um的石墨烯和长度1~2um、直径1...
- 郭太良李福山吴朝兴叶芸张永爱
- 一种用于锂离子电池的一维壳核结构材料及其制备方法
- 本发明涉及一种用于锂离子电池的微纳石墨烯修饰的锡碳/Ti<Sub>2</Sub>O-B一维壳核结构材料及其制备方法。这种是由微纳结构的石墨烯片修饰的锡碳/Ti<Sub>2</Sub>O-B一维壳核结构材料，由内向外分别是...
- 杨尊先郭太良李松李福山徐胜张永爱
- 一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法
- 本发明公开了一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器是在绝缘衬底上形成包括底电极、有机功能层以及顶电极的三层结构器件。本发明中有机功能层采用掺杂有石墨烯量子点的聚合物溶在底电极上旋涂成膜，并采用...
- 李福山郭太良寇丽杰陈伟吴朝兴吴晓晓胡雪花
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- 表面等离子共振增强超高分辨QLED器件及其制备方法
- 本发明提出一种表面等离子共振增强超高分辨QLED器件及其制备方法，制备完成的QLED器件结构包括：ITO玻璃基板（6）、空穴注入层（5）、空穴传输层（4）、量子点发光层（3）、电子传输层（2）和金属阴极（1），其中，空穴...
- 胡海龙李福山张旭林立华郭太良
- 基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管及方法
- 本发明涉及一种基于自组装亚微米小球的纳米量子点发光二极管及方法，包括从下至上依次设置的基板、阳极层、绝缘层像素Bank阵列、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层。本发明基于自组装亚微米小球的纳米量子点...
- 李福山赵等临胡海龙郭太良
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- 基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能被引量：2
- 2022年
- 磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注。本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs。当Se粉与Zn(St)_(2)的质量比为1∶15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86%。同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2%。
- 陈祥赵浩兵罗芷琪胡海龙郭太良李福山
- 关键词：荧光量子效率
- 氩等离子体处理聚合物/量子点表面对量子点发光二极管性能的影响
- 2015年
- 采用旋转涂布的方法在大气中制备了聚合物/量子点发光复合层,利用氩等离子体处理的方法以去除聚合物/量子点复合层的表面的氧原子等猝灭中心。结果发现,相较于无等离子处理的器件,经过氩等离子处理,量子点发光二极管能够产生具有狭窄发光峰的橙色光,器件的启亮电压为3.5伏,亮度更高,并且电流密度没有明显的衰减现象,器件更加稳定。
- 吴薇李福山吴朝兴吴晓晓胡雪花寇丽杰郭太良
- 关键词：量子点发光二极管
