李留臣
- 作品数：57 被引量：63H指数：5
- 供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省重大科技创新专项计划项目国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学冶金工程电子电信一般工业技术更多>>
- 碳化硅晶体生长设备的研制
- 随着信息化社会和现代科技的迅速发展，对可以在Si和GaAs器件难以承受的高温环境下工作的电子器件的需求越来越迫切。在寻求高温器件的同时，研制高频大功率、抗辐射的高性能半导体器件也是上世纪90年代以来微电子领域的重点之一。...
- 李留臣
- 关键词：碳化硅晶体生长
- 文献传递
- 单晶炉勾形磁场的优化设计与分析被引量：7
- 2005年
- 本文采用有限元法对勾形磁场的分布进行了模拟分析,结果表明磁场强度径向分量Bx随径向距离r增大可视为线性增大,并且在线圈中心面上下20mm靠近坩埚内壁的窄小区域内最强。通过对磁场强度的影响因素的分析表明,磁场Bx随电流增大呈线性增加,并随匝数增加呈非线性增大。最后依据模拟结果及其分析,取得了磁场的设计参数。
- 安涛高勇马剑平李守智李留臣
- 关键词：有限元法分析方法单晶炉磁场强度
- SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析被引量：10
- 2005年
- 本文根据S iC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋巩泽龙
- 关键词：SIC晶体温度场
- 用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计(英文)
- 2006年
- 本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时S iC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数。
- 张群社陈治明蒲红斌李留臣封先锋
- 关键词：SIC温度场
- 我国晶体生长设备发展的市场营销战略探讨被引量：1
- 2000年
- 范永福李留臣
- 关键词：市场营销营销战略
- 装料取料机械手
- 本发明涉及一种装料取料工业机械手，托架与四连杆机构连接，四连杆机构与机械手臂相连，四连杆机构的上摆臂与弹簧连接，导轨与滑座滑动连接，其滑座中设有丝杠驱动机构，机械手臂的右端设有转轮，转轮上固定连接有丝杠，机械手臂的右端面...
- 李留臣
- 文献传递
- 一种自适应自抱紧式密封装置
- 本发明涉及一种自适应自抱紧式密封装置，包括圆柱管，圆柱管两端连接法兰盘，法兰盘内侧与圆柱管的端面之间设有缓冲垫，其中右法兰盘还连接有金属过渡室，金属过渡室中部一侧连接真空传感器，另一侧设真空抽气口，金属过渡室端面设密封圈...
- 李留臣
- 文献传递
- TDR-70型单晶炉的研制被引量：9
- 2001年
- 介绍了TDR - 70型单晶炉的性能参数及工作原理 ,结合拉制单晶的特殊工艺要求 ,分析了其主要结构及特点。
- 杨润李留臣
- 关键词：单晶炉磁流体密封翻板阀
- 在钢球上加工平面的工艺方法
- 2002年
- 李留臣
- 关键词：钢球
- 我国人工晶体生长设备的回顾与展望被引量：10
- 2002年
- 本文回顾了我国人工晶体生长设备的发展历史 ,展望了人工晶体生长设备的发展前景。
- 李留臣薛抗美
- 关键词：人工晶体单晶炉
