李文杰
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：医药卫生理学电气工程电子电信更多>>
- CDH1介导CDK5降解在缺血性卒中脑损伤中的作用与机制研究
- 脑卒中(Stroke)是世界第三大致死疾病,而由缺血再灌注引起的缺血性卒中(Ischemic stroke)占所有脑卒中的80%以上。脑卒中具有极高的致死率和致残率,同时大约有30%的卒中患者出现认知功能障碍,是痴呆的高...
- 李文杰
- 关键词：缺血性脑卒中CDK5CDH1
- 氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究
- 氧化铟锡(ITO)由于其在可见光区的高透射率和低电阻率，作为一种透明导电薄膜被广泛的应用于太阳能电池和液晶显示器等各种光电设备中。作为一种能被用于高温的压阻材料，国外对其压阻效应已经有了足够的重视，新的研究还在不断地展开...
- 李文杰
- 关键词：氧化铟锡电子束蒸发压阻效应电阻温度系数电学性质
- 文献传递
- 氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象
- 2009年
- 用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.
- 李文杰方辉
- 关键词：氧化铟锡电阻温度系数压电电阻透明导电氧化物
