李川川
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
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- 电流主动导引结构倒装AlGaInP LED被引量：2
- 2012年
- 设计并制备了一种带有电流导引结构的新型倒装AlGaInP LED。实验结果表明,在20mA直流电流注入下,器件的电压为2.19V,输出光功率与普通倒装器件相比提高了17.33%。通过电流导引结构,使得器件注入电流被主动引导到电极以外部分,有效增大了上电极以外部分有源区中用于发光的有效载流子数目的比例,同时减轻了电流密度过大现象,大大提高了器件的出光效率。
- 李川川关宝璐郝聪霞郭霞
- 关键词：光电子学ALGAINPLED倒装
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 偏振稳定垂直腔面发射激光器设计及分析
- 垂直腔面发射激光器(VCSEL)有单纵模、低阈值和光束近圆等优点.但随注入电流和工作温度的变化,VCSEL出射光偏振态会在两个正交偏振态上转换,有不可预测性.为实现偏振稳定激射,我们设计了一种表面刻蚀亚波长光栅的VCSE...
- 李硕关宝璐任秀娟郭帅李川川郝聪霞郭霞沈光地
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
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- 文献传递
- 不同温度下GaAs/GaN键合结构CL谱的比较分析
- 白光发光二极管与其他光源相比具有高亮度、低损耗、长寿命等优点,而其中单芯片白光的研究被广泛关注.目前对制备单芯片白光的各种材料的研究已经取得了一定的进展,本文针对单芯片白光n+GaAs/ p+GaN直接键合结构做了进一步...
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- 桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)...
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- 文献传递
- 垂直耦合腔面发射激光器光谱特性研究
- 垂直腔面发射激光器以其体积小、可集成、与光纤耦合效率高等优点在高密度信息光通信、传感、光谱分析和生物医学等领域有着重要的应用[1,2].本文设计了垂直耦合腔VCSEL结构,并对其光谱特性进行研究.图1为垂直耦合腔VCSE...
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- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器制备方法研究
- 单片可调谐垂直腔面发射激光器由于悬臂几何尺寸的限制,使得调谐范围受限,在释放悬臂的过程中,牺牲层厚度、腐蚀选择比等因素会在一定程度上影响悬臂的完整性,针对存在的问题,我们设计了双片集成可调谐VCSEL结构.整个器件主要由...
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- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 新型垂直结构单芯片白发光二级管的研制
- 白光发光二极管(缩写LED)与传统的光源相比,在节能减排方面具有明显的优势,是实现固态照明的最有效途径,是提倡低碳生活的首选照明光源,更是未来照明光源的发展方向,因此受到了全世界的瞩目。目前,国外公司控制了制备白光LED...
- 李川川
- 关键词：发光二极管载流子量子效率
