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李亚琴

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 8篇蒸发
  • 8篇金属膜
  • 6篇电流
  • 6篇介电
  • 6篇介电常数
  • 6篇高介电常数
  • 6篇SUB
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子枪
  • 2篇电子束
  • 2篇三氧化二铝
  • 2篇上光
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇离子轰击
  • 2篇磷化铟
  • 2篇磷化铟材料
  • 2篇轰击

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇王冲
  • 8篇谢永桂
  • 8篇冯倩
  • 8篇李亚琴
  • 8篇郝跃
  • 6篇龚欣
  • 2篇张进城

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99%以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的...
郝跃谢永桂冯倩王冲龚欣李亚琴
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GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>颗粒和金属作蒸发源材...
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
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磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
本发明公开了一种在磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用99.99％以上高纯度三氧化二铝颗粒和金属作蒸发材料，其具体过程是：先清洗片子，进行光刻，蒸发窗口；然后将基片装入EB蒸发台的...
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
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GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al<Sub>2</Sub>O<Sub...
郝跃谢永桂冯倩王冲龚欣李亚琴
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GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al<Sub>2</Sub>O<Sub...
谢永桂郝跃冯倩王冲龚欣李亚琴
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GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>颗粒和金属作蒸发源材...
郝跃谢永桂冯倩王冲龚欣李亚琴
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Ⅲ—Ⅴ族化合物材料上原位淀积SiO<Sub>2</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种在III－V族化合物材料上原位淀积SiO<Sub>2</Sub>和金属膜的方法，该方法采用电子束EB真空蒸发，用高纯SiO<Sub>2</Sub>颗粒作蒸发源材料，在1个设备的蒸发台内先后完成对SiO<S...
郝跃谢永桂冯倩张进城李亚琴王冲
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Ⅲ—Ⅴ族化合物材料上原位淀积SiO<Sub>2</Sub>和金属膜的方法
本发明公开了一种在III-V族化合物材料上原位淀积SiO<Sub>2</Sub>和金属膜的方法，该方法采用电子束EB真空蒸发，用高纯SiO<Sub>2</Sub>颗粒作蒸发源材料，在1个设备的蒸发台内先后完成对SiO<S...
郝跃谢永桂冯倩张进城李亚琴王冲
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