李世帅
- 作品数：13 被引量：40H指数：4
- 供职机构：济南大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金博士科研启动基金山东省科技发展计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理被引量：5
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一性原理出发计算了本征及In含量为5%的薄膜的能带结构,从附加能级的角度讨论了样品白光发射的产生机理.
- 李世帅张仲黄金昭冯秀鹏刘如喜
- 关键词：溶胶-凝胶白光发射
- 一种新型染料敏化太阳电池光阳极
- 一种基于一维有序纳米ZnO/TiO<Sub>2</Sub>核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极，包括在生长有透明导电膜ITO(2)的透明玻璃衬底(1)上生长ZnO纳米薄膜层(3)，在ZnO纳米薄膜层...
- 黄金昭魏显起李萍李世帅张仲王培吉
- 有机多层阱结构中光谱蓝移的研究
- 2009年
- 为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)为垒层和以Tris-(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)为阱层的有机多层阱结构器件.利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而并非量子尺寸效应或激子限制效应.
- 黄金昭李世帅冯秀鹏于峰
- 关键词：蓝移光致发光激子
- 简单水热法制备棒状纳米氧化锌及其表征被引量：14
- 2010年
- 以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒。通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光谱(PL)、电导率测试对样品进行表征。结果表明,所制备的纳米ZnO粉末具有六方红锌矿结构并沿(101)面择优生长;随着合成时间和温度的增加,样品的纯度逐渐增加;合成时间为25h,温度为200℃时,样品的结晶最好,样品基本成棒状,平均直径约为30～40nm,长度约为300～400nm、电阻率最大,且在376nm和500～600nm处有明显发射现象。深入分析了上述结果的形成原因。
- 李世帅冯秀鹏黄金昭张仲陶冶微
- 关键词：水热合成纳米ZNO光致发光电阻率
- 衬底温度对Ba_2FeMoO_6薄膜生长的影响及磁性质研究
- 2011年
- 利用自制的Ba2FeMoO6陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积技术,在钛酸锶SrTiO3(100)衬底上,于衬底温度分别为700℃、800℃、900℃下制备出了厚度为100 nm的双钙钛矿型氧化物Ba2 FeMoO6薄膜。分别采用XRD、AFM和VSM表征了样品的结构、表面形貌和磁性质。结果表明,在衬底温度为900℃时沿c轴择优取向生长效果最佳、成膜质量最好,从生长过程角度解释了原因;样品M-H曲线表明在衬底温度不同时生长出的各样品均具有铁磁性,其磁性随衬底温度的升高而增加,分子饱和磁矩在700℃到800℃时变化显著,在800℃到900℃时变化不是很大。
- 张仲冯秀鹏李世帅黄金昭陈康
- 关键词：脉冲激光沉积衬底温度磁性质
- Zn_(0.8)Na_(0.1)Co_(0.1)O薄膜的制备及衬底温度对其影响
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜。用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响。结果表明:掺杂没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;表面较平坦;薄膜只有较强的紫外发射且较本征ZnO出现红移;薄膜呈现低电阻率的特性。当衬底温度为600℃时,薄膜的结晶质量最好,紫外发射最强;衬底温度为400℃时,薄膜电阻率最低,达到了7.55×10-1Ω.cm。讨论了上述结果产生的原因。
- 张仲李世帅黄金昭冯秀鹏刘春彦陶冶微
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度光电性质红移
- 氧化锌薄膜的光电特性研究进展被引量：5
- 2009年
- 由于氧化锌特殊的结构及在光电等方面的广泛应用,关于氧化锌的光电方面的研究引起了人们极大的兴趣.综述了氧化锌薄膜在短波激光、透过率、电子特性方面的研究进展,对今后的研究方向进行了展望.
- 张铭杨李世帅
- 关键词：氧化锌薄膜光电特性
- 一种纳米氧化锌自动制备系统
- 本实用新型公开了一种纳米氧化锌自动制备系统，包括超声喷雾装置、衬底、高压釜和马弗炉，其特征是：所述超声喷雾装置、衬底、高压釜和马弗炉都连接控制器，所述控制器连接机械手。本实用新型减少晶种层制备的时间，能耗少，对衬底质量要...
- 张仲刘如喜黄金昭李世帅李泓霖
- 文献传递
- 本征及掺杂氧化锌的制备和光电性质研究
- ZnO作为一种发光材料,具有开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光源的优势。和目前应用上最成功的宽禁带半导体材料GaN相比,ZnO材料具有很多优点。ZnO材料的生长温度一般低于700℃,比GaN(生长温度1050℃)要低很多...
- 李世帅
- 关键词：溶胶-凝胶电化学沉积脉冲激光沉积光致发光
- ZnO纳米棒的低温溶液法制备、光电特性研究及其在有机/无机复合电致发光中的应用被引量：14
- 2010年
- 利用水热法制备了垂直于衬底的定向生长的ZnO纳米棒,利用扫描电子显微镜及光致发光的方法对其形貌及光学特性进行了表征,利用场发射性能测试装置对ZnO纳米棒的场发射性能进行了测试.结果表明:利用水热法在较低的温度(95℃)下生长了具有较好形貌和结构的ZnO纳米棒,并表现出了较好的场发射特性,当电流密度为1μA/cm2时,开启电场是2.8V/μm,当电场为6.4V/μm时,电流密度可以达到0.67mA/cm2,场增强因子为3360.稳定性测试表明,在5h内,4.5V/μm的电场下,其波动不超过25%.将制备的ZnO纳米棒应用到有机/无机电致发光中,其中ZnO纳米棒为电子传输层,m-MTDATA(4,4′,4″-tris{N,(3-methylphenyl)-N-phenylamino}-triphenylamine)为空穴传输层,得到了ZnO的342nm的紫外电致发光,此发光较ZnO纳米棒光致发光的紫外发射有约40nm的蓝移.
- 黄金昭李世帅冯秀鹏
- 关键词：ZNO纳米棒场发射水热法
