朱红卫
- 作品数：10 被引量：19H指数：3
- 供职机构：上海交通大学微纳科学技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 64灰度SXGA TFT-LCD源驱动电路的设计被引量：1
- 2008年
- TFT-LCD是目前主流的液晶显示技术,在对其驱动电路中核心的源驱动器工作原理进行分析的基础上,提出自己的设计方案,并对其中的gamma校正原理和输出缓冲电路进行分析。电路使用SMIC 0.35μm3.3V/18V工艺。
- 刘磊戴庆元朱红卫赵懿
- 关键词：液晶薄膜晶体管
- InP光电子集成电路接收机前端的研究进展
- 1997年
- 由于具有可集成和器件固有速度的内在优势，ＩｎＰ光电子集成（ＯＥＩＣ）接收机在高速（≥１０Ｇｂ／ｓ）光纤通信系统和波分复用网络（ＷＤＭ）方面具有重要的应用，本文介绍了最近的研究进展。
- 朱红卫史常忻
- 关键词：光电子集成电路光接收机磷化铟
- MSM光电探测器被引量：1
- 1997年
- 1 引言 平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试结果表明其特性不同于单个肖特基结器件。1985年,德国亚琛工业大学半导体电子学研究所的W.Roth等人率先将其应用于光电探测器(PD),研制成第一个GaAs MSM-PD。该结构解决了以前垂直结构的光电器件与平面结构的电子器件集成工艺方面的困难,具有制作工艺简单。
- 史常忻朱红卫
- 关键词：光电探测器肖特基势垒暗电流电压特性
- 用于10位100MS/s流水线A/D转换器的采样保持电路被引量：3
- 2007年
- 设计了一个用于10位100 MHz采样频率的流水线A/D转换器的采样保持电路。选取了电容翻转结构;设计了全差分套筒式增益自举放大器,可以在不到5 ns内稳定在最终值的0.01%内;改进了栅压自举开关,减少了与输入信号相关的非线性失真,提高了线性度。采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,2.5 V电源电压,对电路进行了仿真和性能验证,并给出仿真结果。所设计的采样保持电路满足100 MHz采样频率10位A/D转换器的性能要求。
- 陈美娜戴庆元朱红卫姜申飞
- 关键词：采样保持电路栅压自举开关流水线ADC
- 低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器被引量：1
- 1996年
- 首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ）。
- 朱红卫史常忻陈益新李同宁
- 关键词：半导体器件光电探测器MOS
- 一种应用于DC/DC转换器的自举电路设计被引量：6
- 2009年
- 设计了一种适用于DC/DC转换器的自举升压电路。采用该电路可将功率PMOS管替换为NMOS管。在相同尺寸条件下,NMOS管具有较小的导通电阻,从而提高DC/DC转换器的效率。电路基于华宏NEC的0.35μm BCD工艺,利用Cadence中的Spectre进行了验证。并给出了该自举电路的设计思想、电路的工作原理,以及自举电容最小值的计算。当电源电压降至1.4 V,电路仍能保持正常工作。当自举电容为10 nF,电源电压为5 V,工作频率可高达2 MHz。
- 李冬超戴庆元林刚磊朱红卫邵金柱
- 关键词：半导体技术自举电路DC/DC高频低压
- 高性能金属-半导体-金属光电探测器及其集成技术研究
- 该论文工作针对用于长波长光纤通讯中的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低这一致命缺点,采用该专利,首次实现了具有双层肖特基势垒增强层的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器,测试...
- 朱红卫
- 关键词：金属-半导体光电探测器光电二极管铟镓砷
- InGaAs MSM-PD肖特基势垒增强层的研究
- 1997年
- 通过在n型InGaAs光吸收层与金属接触间加入p型InGaAs势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了理论和实验研究．
- 朱红卫史常忻陈益新
- 关键词：光电探测器MSM-PD肖特基势垒
- 金属包层型平面光波导偏振器和在线单模光纤偏振器的理论和实验研究被引量：5
- 1994年
- 改进了Ｙ．Ｙａｍａｍｏｔｏ提出的多层平面介质波导理论方法，并将改进后的方法应用于金属包层型平面介质波导偏振器和在线单模光纤偏振器，进行了理论和实验研究．
- 王旭黄肇明朱红卫
- 关键词：平面光波导单模光纤偏振器
- 极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究被引量：2
- 1997年
- 本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．
- 朱红卫史常忻陈益新李同宁
- 关键词：光电探测器
