朱洪滨
- 作品数：12 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 下降法生长大尺寸Al2O3单晶
- 用下降法生长出国内最大尺寸φ120mm白宝石(AlO)单晶,晶体透光性能好。联系生长工艺对出现的一些质量问题(气泡、着色、开裂等)进行了分析,提出了解决办法。
- 殷顺湖颜声辉柴跃王四亭王凤云朱洪滨
- 文献传递
- 掺铬镁橄榄石（Cr：Mg_2SiO_4）可调谐激光晶体的生长与性能被引量：3
- 1994年
- 用射频感应加热引上法生长了直径为１８～２０ｍｍ，长６０～１００ｍｍ的掺铬镁橄榄石（Ｃｒ：Ｍｇ＿２ＳｉＯ＿４）单晶。本文介绍生长Ｃｒ：Ｍｇ＿２ＳｉＯ＿４单晶的工艺概况，给出光谱、激光和晶体缺陷分析的数据。用独特的生长工艺和原料处理方式，可使晶体中Ｃｒ￣（４＋）的浓度大大提高，从而改善其激光性能，在国内首次获得了掺铬镁橄榄石的可调谐激光输出。当输入能量为７０ｍＪ时，输出为１１．５ｍＪ，调谐范围为１１６７～１３３２ｎｍ．用ＢＢＯ晶体倍频也获得了５８４～６６６ｍｍ的可调谐输出。
- 颜声辉王四亭钟鹤裕朱洪滨朱烨陈杏达
- 关键词：铬镁橄榄石可调谐激光晶体
- 引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量：1
- 1991年
- 用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
- 关键词：铬提拉法
- 保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
- 一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法，核心内容是：用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层，在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体，晶体生长完成后，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。
- 颜声辉朱洪滨侯印春王四亭
- 文献传递
- 钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
- 一种钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法，其特点是采用中频或高频感应加热铂坩埚和坩埚内的熔体原料，采用改变坩埚四周的保温材料和保温罩的形状，即感应加热顶部籽晶法生长钛酸钡四方晶体，加大了晶体生长的驱动力，简化了生长装置和工...
- 侯印春王四亭朱洪滨
- 文献传递
- 引上法生长Cr:Mg_2SiO_4晶体中铬的分布和价态被引量：1
- 1994年
- Cr:Mg_2SiO_4晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr^(3+)和Cr^(4+).不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr^(3+)离子取代Mg^(2+)离子,Cr^(4+)离子取代Si^(4+)离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^(3+)离子氧化成Cr^(4+)离子.
- 朱洪滨王四亭颜声辉柴耀侯印春潘佩聪
- 关键词：铬离子分凝系数敏化作用提拉法
- 新的可调谐激光激活离子Cr4+
- 1前言Cr离子是最近发现的一个新的可调谐激活离子。在镁橄榄石(MgSiO)晶体中可获得1.17～1.34μm的激光输出。填补了近红外波段固体可调谐激光的空白。在许多方面有着很好的应用前景。本文介绍铬离子在MgSiO晶体中...
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春
- 文献传递
- Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体生长被引量：1
- 1990年
- 本文报导了用提拉法生长Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体的实验过程和结果,试验证实了所得样品为Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶体,指出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶的有效途径。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春夏海平邓佩珍李海华秦永忠
- 关键词：硅酸镁晶体晶体生长铬提拉法
- 钛酸钡晶体生长研究被引量：1
- 1995年
- 本文介绍了采用感应加热顶部籽晶法生长ＢａＴｉＯ＿３晶体的工艺技术。根据稳态引上法生长晶体的热平衡原理，设计了合理的生长装置，使得晶体能够在保持加热功率不变的情况下稳定生长，获得了大尺寸（Φ２０～２５ｍｍ×１５ｍｍ）的ＢａＴｉＯ＿３晶体。阐述了感应加热和通常使用的电阻加热法的区别，指出了本方法的优点。对生长出的晶体进行结构测试，居里温度测定和偏振拉曼谱的测量。
- 王四亭朱洪滨朱烨侯印春
- 关键词：光折变晶体钛酸钡晶体引上法晶体生长
- 光折变晶体Bi_(12)SiO_(20)的生长与性能被引量：1
- 1993年
- 本文介绍了用感应加热引上法生长 Bi_(12)SiO_(20)(BSO)晶体必须要解决的几个工艺问题,并提出了调整原料的组成可以改进 BSO 晶体的衍射效率。
- 潘守夔马健刘伟朱洪滨李萍
- 关键词：晶体生长光折变晶体硅酸铋
