您的位置： 专家智库 > >

朋兴平

作品数：26 被引量：140H指数：6
供职机构：兰州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
相关领域：理学电子电信核科学技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 11篇发光
  • 8篇ZNO薄膜
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 5篇光谱
  • 5篇光致发光谱
  • 5篇发光特性
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻加热
  • 3篇镀膜
  • 3篇样片
  • 3篇漂移
  • 3篇壳体
  • 3篇衬底
  • 2篇形貌
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇荧光粉
  • 2篇原料价格
  • 2篇涂料
  • 2篇热稳定

机构

  • 19篇兰州大学
  • 8篇中国科学院近...
  • 3篇北京大学

作者

  • 26篇朋兴平
  • 8篇王印月
  • 6篇宋长安
  • 6篇杨映虎
  • 4篇谭继廉
  • 4篇方泽波
  • 4篇王育华
  • 4篇靳根明
  • 3篇邬恩九
  • 3篇肖志刚
  • 3篇郑纪文
  • 3篇吴和宇
  • 3篇江栋兴
  • 3篇尹淑芝
  • 3篇钱兴
  • 3篇张纯
  • 3篇宋明涛
  • 3篇殷旭
  • 3篇宋毅
  • 3篇王素芳

传媒

  • 2篇高能物理与核...
  • 2篇兰州大学学报...
  • 2篇甘肃科技
  • 2篇发光学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇第9届全国核...
  • 1篇第九届全国核...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 3篇1998
共 26 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
2005年
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2).
朋兴平杨映虎季涛方泽波王印月
关键词：ZNO薄膜
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量：12
2007年
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
朋兴平王志光宋银季涛臧航杨映虎金运范
关键词：ZNO薄膜X射线衍射谱光致发光谱衬底温度
重离子周边碰撞和中心碰撞引起的不同裂变行为
2000年
本实验同时研究了 4 0 Ar+ 2 0 9Bi反应中周边碰撞和中心碰撞两者产生的关联裂变碎片 ,以及其与α粒子的再关联 .对裂变碎片质量分布和能量分布随热裂变核初始温度演化的系统分析 ,发现中心碰撞和周边碰撞所形成的热核存在着不同的裂变行为 .
邬恩九郑纪文肖志刚张纯谭继廉尹淑芝王素芳靳根明殷旭宋明涛金卫阳朋兴平李祖玉吴和宇贺智勇江栋兴钱兴
关键词：中能重离子反应重离子碰撞
用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜被引量：5
2004年
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。
朋兴平谭永胜方泽波杨映虎王印月
关键词：氧化锌薄膜光致发光谱
高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响
利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重...
臧航王志光朋兴平宋银刘纯宝魏孔芳张崇宏姚存峰马艺准周利宏盛彦斌缑洁
文献传递
蓝光ZnO薄膜的特性研究被引量：6
2005年
采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,实验中制备出了应变小的c轴择优取向的ZnO薄膜;原子力显微镜观察表明,薄膜表面平整,颗粒大小约为50 nm,为柱状结构,颗粒垂直于硅衬底表面生长;在室温光致发光(PL)谱中观察到了波长位于434 nm处的较窄的强蓝光发射峰,该蓝光峰的半峰全宽约为50 m eV。对蓝光峰的发光机制进行了讨论,并推断出该蓝光峰来源于电子从Zn填隙缺陷能级向价带顶跃迁。
朋兴平杨扬耿伟刚杨映虎王印月
关键词：ZNO薄膜硅衬底光致发光
薄膜制备装置及薄膜生长的观察方法
本发明公开一种采用物理方法在基底材料上制备薄膜的设备，以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。本发明的装置中镀膜室由镀膜室壳体和位于镀膜室壳体下的底板构成，在真空壳体上设置有充气阀和观察窗，在底板上分别设置有电阻加热蒸发器...
宋长安彭应全宋毅朋兴平覃同
文献传递
用于RIBLL上的大面积硅(锂)探测器的研制
本文介绍了大面积φ16mm硅(锂)的研制工艺的改进过程及其在我所首次RIBLL实验上的应用。
朋兴平李存藩谭继廉张金霞鲍志勤卢子伟凤莹靳根明
关键词：漂移RIBLL
文献传递
实验室技术建设总结
2005年
本文通过物理学本科基地班学生的实例,着重谈了本科生的过程管理,探讨了如何加强本科生科研能力训练与科学化的管理。加强近代物理实验技术,提高革新与创新的技能、经验方法,为教学和科研服务。
宋长安金武朋兴平
用于RIBLL上的大面积硅(锂)探测器的研制
介绍了大面积φ16mm硅（锂）的研制工艺的改进过程及其在我所首次RIBLL实验上的应用。
朋兴平李存藩谭断廉张金霞
关键词：漂移RIBLL
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0