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彭松昂

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 38篇石墨
  • 38篇石墨烯
  • 24篇场效应
  • 22篇晶体管
  • 19篇场效应晶体管
  • 15篇光刻
  • 14篇载流子
  • 13篇电极
  • 11篇迁移率
  • 10篇金属
  • 9篇电阻
  • 9篇载流子迁移率
  • 8篇碳基
  • 8篇光刻胶
  • 6篇自对准
  • 6篇接触电阻
  • 6篇光学光刻
  • 6篇触电
  • 5篇截止频率
  • 5篇介质层

机构

  • 57篇中国科学院微...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 57篇彭松昂
  • 55篇金智
  • 50篇张大勇
  • 50篇史敬元
  • 17篇麻芃
  • 16篇王少青
  • 9篇陈娇
  • 5篇王选芸
  • 4篇王显泰
  • 3篇郭建楠
  • 3篇潘洪亮
  • 1篇李博
  • 1篇李博
  • 1篇李晓静
  • 1篇张静
  • 1篇王磊
  • 1篇王磊

传媒

  • 1篇现代应用物理

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 10篇2017
  • 17篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法
本发明公开了一种减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成绝缘层和石墨烯导电层；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，曝光后显影出梳型源漏接触结构，选择性沉积金属后剥离；在石墨烯导电层上沉积栅介...
彭松昂金智张大勇史敬元
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括：提供高掺的Si衬底；形成绝缘层；制备背接触源漏电极；将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而形成悬浮的石墨烯沟道；利用光刻技术及刻蚀工艺对石墨烯进行图形化；制备顶接触...
金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇
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一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法
本发明提供一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法，包括：步骤一、提供衬底，在衬底上制备二维材料层；步骤二、在二维材料层上沉积栅介质层；步骤三、对栅介质层和二维材料层进行有源区图形化刻蚀；步骤四、对源漏接触区的栅介质层进...
彭松昂金智张大勇史敬元
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一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法
本发明公开了一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂在衬底表面形成硅烷有机膜层，利用硅烷有机膜层不同基团、不同强度的亲核与疏核特性，对附着在硅烷有机膜层表面的碳基薄膜材料进行表面吸附式掺杂...
史敬元金智张大勇麻芃彭松昂
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一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域，该石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘层上，导电沟...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法
本发明提供一种基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法。所述方法包括：将石墨箔放置在第一石墨电极的表面；在所述石墨箔的表面放置含有电解质溶液的有机多孔材料；在所述含有电解质溶液的有机多孔材料表面放置第二石墨电极；将所述第一...
张大勇金智史敬元彭松昂
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一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法
本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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吸波材料及其制备方法
本发明提供了一种吸波材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，对含有吸波材料和有机多孔聚合物的复合材料进行压缩处理，使复合材料处于压缩状态；S2，对处于压缩状态的复合材料的一侧表面进行加热处理，对与一侧表面相对的另...
张大勇金智史敬元彭松昂
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一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
本发明公开了一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂有机膜层来钝化和修饰碳基半导体器件衬底表面，具体包括以下步骤:将清洗后的衬底放入烘箱内120℃干燥处理20分钟;配制硅烷偶联剂溶液，利用有机溶...
史敬元金智麻芃张大勇彭松昂
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一种石墨烯器件的制造方法
本发明提供一种石墨烯器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上生长石墨烯层；在器件上沉积金属掩膜层；对金属掩膜层和石墨烯层进行有源区刻蚀；在有源区的金属掩膜层上形成T型栅结构；去除有源区的...
彭松昂金智张大勇史敬元
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