张男男
- 作品数:19 被引量:24H指数:3
- 供职机构:河北工业大学更多>>
- 发文基金:国家科技重大专项国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 基于自适应卷积与Transformer混合结构的低剂量CT图像恢复方法
- 本发明公开了一种基于自适应卷积与Transformer混合结构的低剂量CT图像恢复方法,包括对数据集中的图像数据进行预处理,然后将预处理后的数据集划分为训练集、验证集和测试集;建立具有自适应卷积与Transformer混...
- 张男男周峰郭志涛李晓增杨济恺袁萍修
- 电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响被引量:2
- 2014年
- 掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HF—CvD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。
- 程川高宝红张男男杨志欣孙铭斌檀柏梅
- 关键词:电化学
- 碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响
- 2014年
- 以丙酮为碳源,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在钽衬底上制备p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。在BDD电极制备过程中,碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利用AFM和XRD分析了丙酮体积分数对BDD电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法研究了采用不同体积分数的丙酮沉积的BDD电极对电化学窗口和背景电流的影响。分别采用BDD电极和不锈钢片作阳极和阴极电解K2SO4溶液,并利用KMnO4滴定法检测BDD电极的氧化效率。结果表明,优化丙酮体积分数可以提高BDD的均匀性和附着力。合适的丙酮体积分数所制备的BDD电极具有电化学窗口宽、背景电流低和电极氧化效率高等特点,有很好的应用前景。
- 张男男檀柏梅高宝红程川杨志欣
- 一种用于分类存放的垃圾箱
- 本实用新型为一种用于分类存放的垃圾箱,包括箱体和分拣机构;箱体的上部设有投放口,箱体的中部设有分拣机构支架,分拣机构安装在分拣机构支架上;箱体的下部放置有多个用于存放不同种类垃圾的存放桶,投放口处安装有摄像头;所述分拣机...
- 张男男张宇泽房玉坤师越
- 无磨料复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制被引量:3
- 2014年
- 目的研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺,并通过研究优化的清洗条件对不同类型铜晶圆表面划伤、残留颗粒的清洗效果,验证该清洗剂的清洗性能。结果优化的清洗剂组分和清洗工艺为:金属离子螯合剂体积分数0.025%,表面活性剂体积分数0.1%;清洗剂温度30℃,清洗剂流量3 L/min。优化的复合清洗剂能大幅度降低铜膜表面划伤和表面粗糙度,对铜膜表面残留的颗粒有较强的去除作用。结论优化的复合清洗剂能够对不同类型铜晶圆表面缺陷进行大幅度的修正,研究成果对提高大规模生产中晶圆的成品率有一定的指导作用。
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- 关键词:表面活性剂腐蚀速率
- 金刚石膜电极电化学过程阴极被氧化的研究
- 2015年
- 掺杂金刚石薄膜材料(BDD)具有优良的电化学催化氧化特性,研究发现,金刚石薄膜作为阳极的电化学氧化过程在一定条件下,能将阴极材料氧化。本文研究了电化学过程中电解液氧化浓度变化并对阴极材料进行XRD检测,经分析是金刚石薄膜电化学氧化在特定条件下氧化能力提升而导致阴极被氧化。
- 高宝红王辰伟王帅檀柏梅刘玉岭程川张男男
- 关键词:掺杂金刚石薄膜电化学阴极
- 一种便携式全息影像展示盒
- 本实用新型涉及展示盒技术领域,具体为一种便携式全息影像展示盒,包括展示盒主体,以及盖合在展示盒主体上的盒盖;所述展示盒主体内设有安装板,所述安装板上设有液晶屏驱动板,所述液晶屏驱动板连接有传输排线,所述传输排线连接有液晶...
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- 一种液体容器
- 本公开公开了一种液体容器,包括:第一瓶体、第二瓶体、第一吮吸组件、以及第二吮吸组件;其中,所述第一瓶体设置有第一开口,所述第一瓶体在所述第一开口处与第一吮吸组件连接;所述第二瓶体设置有第二开口和第三开口,所述第二瓶体在所...
- 张男男高宝红孙逸飞
- 文献传递
- 基于自适应卷积与Transformer混合结构的低剂量CT图像恢复方法
- 本发明公开了一种基于自适应卷积与Transformer混合结构的低剂量CT图像恢复方法,包括对数据集中的图像数据进行预处理,然后将预处理后的数据集划分为训练集、验证集和测试集;建立具有自适应卷积与Transformer混...
- 张男男周峰郭志涛李晓增杨济恺袁萍修
- 一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂被引量:1
- 2015年
- 在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所产生的CuO颗粒,采用主要有效成分为FA/OII型螯合剂和FA/OI型非离子表面活性剂的碱性清洗剂,结合聚乙烯醇(PVA)刷洗的方式对其进行清洗。利用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对铜光片清洗前后进行检测。实验结果表明,该清洗剂不仅能有效去除GLSI多层铜布线片CMP后在铜线条表面残留的CuO颗粒,而且成分简单环保,不含金属离子,因此有很好的应用前景。
- 杨志欣高宝红王辰伟孙鸣孙铭斌张男男程川檀柏梅
- 关键词:清洗剂表面活性剂