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张煜

作品数：24 被引量：6H指数：1
供职机构：中兴通讯股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇电路
  • 6篇氮化镓
  • 6篇放大器
  • 5篇功率放大
  • 5篇功率放大器
  • 4篇氮化镓器件
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇栅电极
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 3篇电极
  • 3篇电路板
  • 3篇射频
  • 3篇二维电子
  • 3篇二维电子气
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇成核

机构

  • 24篇中兴通讯股份...
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 24篇张煜
  • 12篇刘海军
  • 5篇李春阳
  • 4篇段向阳
  • 4篇孙涵
  • 3篇杨云博
  • 3篇阮金龙
  • 3篇崔凯
  • 2篇王育红
  • 2篇段斌
  • 2篇王磊
  • 2篇卫东
  • 2篇何向阳
  • 1篇刘涛
  • 1篇陆海
  • 1篇陈化璋
  • 1篇王峰
  • 1篇李朋军
  • 1篇王许旭
  • 1篇李智源

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 10篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种屏蔽罩及PCB板
本实用新型提供了一种屏蔽罩及PCB板，用于屏蔽PCB板上电路元件的干扰，该屏蔽罩包括罩体及隔墙，隔墙包括与罩体接触的弹片。通过本实用新型的实施，利用弹片取代现有屏蔽罩中的金属隔墙，由于弹片厚度较薄，较原金属隔墙有明显缩小...
卫东张煜王峰孙涵李智源
文献传递
GaN HEMT外延材料表征技术研究进展被引量：1
2021年
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不同的测量工具和技术,进而呈现器件性能的优劣。综述了GaN HEMT外延材料的表征技术,详细介绍了几种表征技术的应用场景和近年来国内外的相关研究进展,简要总结了外延材料表征技术的发展趋势,为GaN HEMT外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导。
杜成林蔡小龙叶然刘海军张煜段向阳祝杰杰
一种射频连接器
本实用新型公开了一种射频连接器，包括转接板10、位于转接板上的由导电胶构成的射频连接结构、跟外部射频模块连接的转接头以及安装组件。转接板设置上表面和下表面，上表面布有微带传输线，用于传输射频信号并与转接板外端的转接头20...
王育红张煜李春阳
文献传递
移相电路及波束扫描装置
本发明实施例提供一种移相电路及波束扫描装置，涉及通信技术领域。所述移相电路包括第一移相模块和第二移相模块，所述第一移相模块包括第一开关单元和多条第一传输线，所述第一开关单元用于控制各条所述第一传输线的通断，各条所述第一传...
王灿杨云博张煜刘涛麻军王许旭
一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
本申请实施例提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法，该氮化镓器件包括：外延基片，外延基片包括自下向上连接的衬底层、成核层、缓冲层、组合层，组合层为至少两层，每层组合层包括自下向上连接的沟道层与势垒层，最上层的势垒层上...
武盛代云飞李文明刘海军张煜
功率放大器
本申请涉及一种功率放大器，包括功率放大单元、输入匹配电路、输出匹配电路和包络阻抗控制电路，输入匹配电路串联设置在功率放大器的输入端口和功率放大单元的输入端之间，输出匹配电路串联设置在功率放大单元的输出端和功率放大器的输出...
何向阳张煜李文明张旗刘海军王磊
高电子迁移率晶体管器件及其制造方法
本发明实施例提供一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件具有一个结构单元或至少两个沿第一方向重复设置的结构单元；每个结构单元均包括源极、漏极、栅极以及沿第二方向依次层叠的衬底层、成核层、势垒层和具有垂直第一方向且平...
叶然蔡小龙杜成林张煜刘海军段向阳
低噪声放大器保护开关
本发明公开了一种低噪声放大器保护开关，开关的公共端连接至天线，开关的发射端连接至负载，开关的接收端连接至低噪声放大器，公共端通过至少一个第一组二极管连接至发射端，公共端通过至少一个第二组二极管连接至接收端，其中，第一组二...
孙涵张煜李春阳阮金龙
文献传递
封装框架和芯片组件
本公开提供一种用于芯片组件的封装框架，其中，所述封装框架包括导热基板和设置在所述导热基板上的引线框架，所述引线框架上形成有沿厚度方向贯穿所述引线框架的镂空部，且所述引线框架包括至少一个管脚；所述引线框架与所述导热基板层叠...
陈诗哲全贤坤王磊张煜刘海军李文明
一种散热装置、电路板及其设计方法
本发明提供一种散热装置、电路板及其设计方法，用以解决现有技术中在电路板设计之后难以对发热器件的散热效率进行有效提升的问题。所述散热装置包括：导热部，所述导热部上设置有发热器件，用于将所述发热器件产生的热量导出；散热部，所...
文睿孙涵张煜
文献传递
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