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张传平

作品数：3 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇场发射
  • 2篇场发射特性
  • 1篇阈值
  • 1篇冷阴极
  • 1篇场发射显示

机构

  • 3篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 3篇张传平
  • 2篇赵海峰
  • 2篇王维彪
  • 1篇金长春
  • 1篇元光
  • 1篇彭红艳
  • 1篇金曾孙
  • 1篇姜锦秀
  • 1篇顾长志
  • 1篇殷秀华
  • 1篇纪红
  • 1篇王惟彪

传媒

  • 2篇液晶与显示

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
外延纳米金刚石膜及其场发射特性被引量：10
2003年
研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了其场发射特性。
王维彪顾长志纪红彭红艳赵海峰张传平
关键词：场发射特性
纳米石墨晶薄膜的场发射特性被引量：5
2002年
研究了纳米石墨晶的场发射特性。介绍了纳米石墨晶薄膜的制备方法,通过扫描电镜和Raman光谱对纳米石墨晶的结构进行了分析。场发射特性测试表明纳米石墨晶薄膜的场发射阈值电场为1.8V/μm。根据实验结果计算出纳米石墨晶的有效功函数在0.75～1.62eV之间。研究表明纳米石墨晶薄膜具有一些独到的特点,也非常适合场发射显示用冷阴极的制备。
王维彪彭红艳张传平
关键词：场发射特性阈值
场发射显示用冷阴极的制备及其发射电子特性研究
王惟彪元光姜锦秀赵海峰金曾孙金长春张传平殷秀华
该课题用氧化、光刻、腐蚀方法制备硅微尖阵列，将金刚石薄膜沉积在硅微尖上，利用硅微尖阵列的场增强效应和金刚石低电子逸出功的优点，来提高冷阴极的电子发射特性。用“一步湿法刻蚀”技术制备硅微尖的曲率半径可达15纳米左右。在国内...
关键词：
关键词：场发射冷阴极
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