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崔秀芳

作品数:12 被引量:16H指数:2
供职机构:西安交通大学电气工程学院绝缘研究中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇电力
  • 4篇电力电子
  • 4篇电力电子器件
  • 4篇电子器件
  • 4篇键合
  • 3篇陶瓷
  • 3篇绝缘
  • 3篇高压硅器件
  • 3篇硅器件
  • 2篇导电性
  • 2篇电性能
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇键合强度
  • 2篇硅半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇
  • 2篇DCB
  • 1篇单晶
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁场

机构

  • 12篇西安交通大学
  • 1篇永济电机厂

作者

  • 12篇崔秀芳
  • 11篇徐传骧
  • 4篇徐思华
  • 2篇李仰平
  • 1篇储九荣
  • 1篇翟保定
  • 1篇钟力生
  • 1篇董小兵
  • 1篇刘迪
  • 1篇金兰香
  • 1篇徐伟骧
  • 1篇安春迎
  • 1篇张少云
  • 1篇张峰

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇第六届全国电...
  • 1篇高压电器
  • 1篇电工技术杂志
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇2001年全...

年份

  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1993
  • 2篇1991
  • 1篇1990
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
陶瓷覆铜DCB技术及其应用
本文介绍了电力电子模块的关键绝缘材料——铜-陶瓷共晶键合基板的技术(DCB技术)及其应用,将其作为导热绝缘基板用在电力半导体模块上.
徐思华徐伟骧崔秀芳
关键词:绝缘材料电子封装
文献传递
JUS有机硅凝胶相容性的研究
1999年
研究了JUS有机硅凝胶与各种材料的相容性问题。已固化聚苯硫醚(PPS) 外壳材料与硅凝胶有很好的相容性,而未固化PPS却使铂催化剂中毒,表明含有毒素的物质是否会使铂催化剂中毒,与毒素的存在形式和活性有关。一般常用的DCB板和GD406 硅胶粘剂与JUS硅凝胶都有较好的相容性,但含有硫元素的703 硅胶粘剂却使硅凝胶中毒。最后研究了预防硅凝胶不固化的方法,认为使用SP漆作屏蔽层是有效的办法。
徐传骧储九荣崔秀芳邓泽全
关键词:相容性有机硅凝胶电力电子器件
生物体的介电性质及外电磁场对其影响作用探讨被引量:12
1993年
随着电气化事业和高压输配电系统的发展,电磁场对生物体的影响已成为国内外研究者所关注的问题。目前研究较多的是通过流行病学统计法,对处于高压电磁环境下工作和生活的人群与通常电磁环境的人群进行对照分析,以得到高压放电电磁环境对人体影响的关系。由于这种统计方法是把高压电磁环境当做一笼统影响来考虑。
徐传骧钟力生崔秀芳
关键词:生物体介电性质电磁场
高压硅器件用聚脂改性硅漆介电性能的研究
1997年
研究了高压硅器件表面保护用聚酯改性有机硅漆(SP)的组成结构和杂质含量对介电性能的影响,以及用硅漆作为高压硅器件表面保护材料时,高温高压下电荷输运对器件高温耐压稳定性的影响。
李仰平张峰徐传骧崔秀芳安春迎
关键词:聚酯漆
DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究
2002年
围绕真空灭弧室关键技术———金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺———DCB技术封接真空灭弧室的探索研究。对封接强度进行了研究与分析,弄清了Cu-Al2O3瓷DCB键合强度随Cu表面含氧量变化的规律,并就含氧量对键合强度的影响进行了较深入的研究。
徐思华徐传骧崔秀芳
关键词:真空灭弧室真空断路器键合强度
P^+掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响被引量:1
1993年
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P^+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10^(18)个/cm^3,与原始表面浓度无明显关系;用P^+取代P^+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.
徐传骧李仰平崔秀芳金兰香翟保定
关键词:半导体器件导电性
体特性高压硅器件的设计与制造
具有雪崩体特性击穿的高温高压大功率硅器件的设计和制造,需要对器件的耐压稳定性和表面特性进行细致地控制以获得优良特性。器件基区设计、扩散方法、表面造型以及表面保护复合结构的综合优化是获得耐压温度特性优良的体特性器件的必要因...
徐传骧董小兵崔秀芳
关键词:整流元件晶闸管
文献传递
电力电子器件绝缘带电性能的研究
张少云徐传骧崔秀芳
关键词:电子器件绝缘电性
电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究被引量:1
1990年
本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.
刘迪崔秀芳徐传骧
关键词:电子器件
陶瓷覆铜DCB及其应用被引量:2
2001年
介绍了电力电子模块的关键绝缘材料——铜-陶瓷共晶键合基板的技术(DCB技术)及其应用。
徐思华徐传骧崔秀芳
关键词:绝缘材料
共2页<12>
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