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周文斌

作品数:7 被引量:65H指数:4
供职机构:华中科技大学物理学院物理系更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇掺杂
  • 3篇TIO
  • 3篇TIO2
  • 2篇陶瓷
  • 2篇纳米
  • 2篇NB
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电场
  • 1篇电性能
  • 1篇电子结构
  • 1篇压敏
  • 1篇氧化钛
  • 1篇原子
  • 1篇锐钛矿
  • 1篇锐钛矿型
  • 1篇铁掺杂
  • 1篇铁离子
  • 1篇子结构
  • 1篇镧离子

机构

  • 7篇华中科技大学

作者

  • 7篇薛霞
  • 7篇唐超群
  • 7篇周文斌
  • 5篇马新国
  • 5篇黄金球
  • 5篇胡连峰
  • 2篇戴君
  • 2篇张勇

传媒

  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇Chines...
  • 1篇湖北省物理学...

年份

  • 5篇2006
  • 2篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用从头计算法研究3d过渡金属掺杂TiO2的电子结构
采用平面波超软赝势方法研究了锐钛矿型TiO2及3d过渡金属掺杂TiO2的电予结构。计算表明,用3d金属替代TiO2中的Ti将导致电子占据局域能级出现,随着所掺杂原子序数的提高,这种局域能级向低能方向移动:t2g态在掺杂T...
张勇唐超群戴君周文斌薛霞
文献传递
Nb_2O_5掺杂对TiO_2陶瓷性能的影响被引量:7
2006年
在Nb2O5含量X为0.1~1.5%的范围内,研究了Nb2O5掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。发现x=0.7%的样品显示出最低的压敏电压(Eb=8.57V/mm)以及最高的相对介电常数2.385×10^4。分析认为Nb2O5掺杂的实质是Nb^5+固溶于TiO2中取代Ti^4+使晶粒半导化,但掺杂量受晶格畸变作用有一定限制。
周文斌唐超群薛霞胡连峰马新国黄金球
关键词:TIO2压敏
Cu/TiO2复合陶瓷介电性能的研究
利用传统的陶瓷制备工艺制得了Cu/TiO2复合陶瓷,并测量了试样的介电性能参数。材料晶界电阻的计算结果和介电常数图表明,随着复合Cu含量的增加,试样的晶界电阻减小,而介电常数增大。
戴君唐超群张勇周文斌薛霞
文献传递
镧铁掺杂的纳米TiO_2薄膜的光吸收性能研究被引量:11
2006年
采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯为原料,在生物载波片上制备了金属离子镧铁双元掺杂纳米TiO2薄膜,经过440℃高温热处理后,TiO2为锐钛矿型;通过紫外可见分光光度计测量薄膜的透射光谱,发现掺杂后TiO2的吸收边有改变,薄膜对可见光的吸收也明显加强。
薛霞唐超群周文斌马新国黄金球胡连峰
关键词:纳米TIO2镧离子铁离子掺杂
电场对TiO_2纳米膜光催化性能的影响被引量:20
2006年
以泡沫镍为基材,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米膜光催化剂.在自制外加电场光催化反应装置中,对催化剂施加一定的偏电压,研究了甲基橙溶液的光电催化降解反应,考察了偏压极性、阳极偏压和甲基橙初始溶液浓度等对降解效率的影响,并比较了光电催化与光催化、光解对甲基橙溶液降解的差异.结果表明,外加阳极偏压形成的电场可以较大幅度提高甲基橙溶液的降解效率.从半导体和量子力学理论出发探讨了电场促进光催化反应的作用机理.
黄金球唐超群马新国胡连峰薛霞周文斌
关键词:电场氧化钛纳米膜光催化甲基橙
锐钛矿型TiO_2(101)面原子几何及弛豫结构的第一性原理计算被引量:26
2006年
采用平面波超软赝势方法计算了锐钛矿型TiO2(101)面的表面能和表面原子弛豫结构.首先对TiO2(101)面的6种不同的表面原子终止结构的体系总能量进行了计算,结果表明终止原子为两配位的O原子、次层为五配位的Ti原子的表面结构最为稳定.针对该表面研究了表面能和原子弛豫与模型中原子层数和真空厚度的关系,当原子层数为12层,真空厚度为0.4nm时,表面能收敛度小于0.01Jm2.研究发现:表面上两配位的O原子向里移动约0.0012nm,五配位的Ti原子向里移动约0.0155nm,弛豫后的Ti—O键长发生了较大变化,核外电荷发生了转移,结构趋于稳定.
马新国唐超群黄金球胡连峰薛霞周文斌
关键词:第一性原理TIO2弛豫
Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响被引量:1
2006年
研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104。烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V.mm-1。
胡连峰唐超群周文斌薛霞黄金球马新国
关键词:TIO2非线性
共1页<1>
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