刘洪飞
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：2
- 2009年
- 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认为由于晶体原子的侧向生长,产生的杂质侧向分凝,是电阻率分布不均匀的主要原因。大量生产实验表明,生长过程中改变常规生长参数对提高均匀性的作用并不明显,要想从本质上提高电阻率径向均匀性,只能尝试非常规的技术。
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- 关键词：电阻率均匀性
- 气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
- 2008年
- 主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
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- 关键词：电阻率
- 高频线圈坡面对生长FZ单晶的影响被引量：1
- 2011年
- 通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适的加热线圈,可以有利于单晶的顺利生长,提高单晶的成功率。
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- 关键词：磁力
