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刘旸

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇肖特基
  • 4篇电流
  • 4篇势垒
  • 4篇二极管
  • 4篇分立器件
  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇硅片
  • 3篇半导体
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅材料
  • 2篇阵列
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇输出电流
  • 2篇热阻
  • 2篇热阻测试
  • 2篇自然降温

机构

  • 17篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 21篇刘旸
  • 17篇唐冬
  • 5篇徐衡
  • 5篇白羽
  • 4篇吴会利
  • 4篇孔明
  • 3篇刘剑
  • 3篇刘昕阳
  • 2篇康锡娥
  • 2篇孙曦东
  • 2篇林洪春
  • 2篇马洪江
  • 2篇杜海军
  • 1篇王鹏
  • 1篇唐宁
  • 1篇孙大成
  • 1篇陆虹
  • 1篇王增智
  • 1篇蔡震
  • 1篇刘德实

传媒

  • 4篇微处理机

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2007
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属连线光刻技术
2007年
介绍了一种细线条金属连线光刻技术。在溅射铝后,生长一薄层氮化硅薄膜作为减反层,利用氮化硅薄膜的光刻条件,涂覆薄胶可以保证刻出细线条,腐蚀薄层氮化硅保证线宽,同时在腐蚀铝过程中用氮化硅作掩蔽解决了薄胶问题。并在亚微米的抗辐射加固电路中成功应用。
刘旸唐冬
关键词：线宽
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法，包括：步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流，使多管芯器件发热至热平衡状态，再分别对所有管芯通测试电流，测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>～R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
文献传递
半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺
本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5s...
吴会利刘旸
文献传递
用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺
本发明公开了一种用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺，属于微电子加工技术领域。该技术主要针对超薄硅晶圆片减薄过程中因机械损伤产生残余应力,导致划片过程中硅晶圆片易碎的缺点。通过调配特制背面腐蚀液配比，采用特殊...
刘旸王增智金明辉
文献传递
多晶硅肖特基二极管的制作方法
本发明公开了一种多晶硅肖特基二极管的制造方法，属于分立器件领域。该方法通过对势垒区的形成结构进行改进，获得具有单晶和多晶混合结构的多晶硅肖特基二极管。本发明实现了多晶硅肖特基二极管，实现了多晶硅材料和工艺在肖特基二极管中...
唐冬刘旸
文献传递
二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤：a、腐蚀导电层及阻挡层，形成多个被腐蚀单元；b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层；c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分，使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
文献传递
一种反熔丝单元可靠性测试方法
本发明属于反熔丝FPGA产品测试领域，具体说是一种反熔丝单元可靠性测试方法，可以在PCM测试时实现反熔丝FPGA门阵列的查空测试，以及时发现反熔丝FPGA产品的可靠性问题。在未对反熔丝单元编程前，通过对PAD点施加电压，...
刘旸杜海军吴会利唐冬
文献传递
一种肖特基二级管的布置方法
本申请提供一种肖特基二级管的布置方法，包括，a.提供具有衬底和外延层的基体；b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；c.在所述第一部...
唐冬刘旸白羽徐衡刘剑
文献传递
多管芯器件热阻测试方法
一种多管芯器件热阻测试方法，包括：步骤S1.对N个管芯中的第i管芯通热电流，使多管芯器件发热至热平衡状态，再分别对所有管芯通测试电流，测得此时所有管芯各自的第i结壳热阻R<Sub>i1</Sub>～R<Sub>iN</S...
唐冬康锡娥刘旸孙曦东徐衡白羽刘剑
多晶硅肖特基二极管的制作方法
本发明公开了一种多晶硅肖特基二极管的制造方法，属于分立器件领域。该方法通过对势垒区的形成结构进行改进，获得具有单晶和多晶混合结构的多晶硅肖特基二极管。本发明实现了多晶硅肖特基二极管，实现了多晶硅材料和工艺在肖特基二极管中...
唐冬刘旸
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