刘志勇
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：天津大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- AgSnO2电触头材料表面改性的研究
- 研究了添加剂、分散剂、化学镀的表面改性工艺对AgSnO2电触头材料组织和性能的影响.通过表面改性可以改善Ag与SnO2的浸润性,降低SnO2的表面能,阻碍SnO2粒子的团聚,从而解决AgSnO2触头的加工成型困难和接触电...
- 郑冀刘志勇张尧卿李松林
- 关键词：触头材料表面改性化学镀银氧化锡
- 文献传递
- 纳米掺杂SnO_2的计算研究被引量：2
- 2008年
- 采用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用,建立了纯SnO2计算模型。计算结果表明:纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质,从而提高SnO2导电性。其中,掺杂比率为5的价带到中间能级宽度最小,掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显,系统电子共有化程度最高,费米能级处对电子态密度的贡献也最大,因此掺杂比率为5的导电性最好。
- 郑冀刘志勇窦富起王吉会
- 关键词：第一性原理SNO2电子结构掺杂
- AgSnO_2电触头材料表面改性的研究被引量：10
- 2006年
- 研究了添加剂、分散剂、化学镀的表面改性工艺对AgSnO2电触头材料组织和性能的影响。通过表面改性可以改善Ag与SnO2的浸润性,降低SnO2的表面能,阻碍SnO2粒子的团聚,从而解决AgSnO2触头的加工成型困难和接触电阻高的问题,并对表面改性对AgSnO2材料的作用过程进行了分析。
- 郑冀刘志勇张尧卿李松林
- 关键词：AGSNO2触头材料表面改性添加剂化学镀
- 纳米掺杂SnO2的计算研究
- 采用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用,建立了纯SnO2计算模型.计算结果表明:纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体;通过掺杂能够在一定...
- 郑冀刘志勇窦富起王吉会
- 关键词：第一性原理电子结构导电性费米能级
- 文献传递
- 纳米掺杂SnO2的研究及其第一性原理的计算
- 利用 Castap 软件计算了 Co 以不同比例掺杂 SnO的电子结构,分析了掺杂及掺杂比例对改善 SnO 导电性的作用,建立了纯 SnO计算模型。计算结果表明：纯 SnO是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体;通过掺杂...
- 刘志勇郑冀李松林
- 关键词：第一性原理SNO2电子结构掺杂
- 文献传递
- 纳米掺杂SnO2的研究及其第一性原理的计算
- 2007年
- 利用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构，分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用，建立了纯SnO2计算模型。计算结果表明：纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质，使其具有金属键性质，从而提高SnO2导电性。其中，掺杂比率为5％的价带到中间能级宽度最小，掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最高，费米能级处对电子态密度的贡献也最大，因此掺杂比率为5％的导电性最好。
- 刘志勇郑冀李松林
- 关键词：第一性原理SNO2电子结构掺杂
