刘占辉
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：江苏省创新学者攀登项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
- 利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
- 赵传阵张荣修向前谢自立刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：氮化镓气相外延流体动力学有限元法
- 文献传递
- 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：3
- 2010年
- 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.
- 赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：GAN氢化物气相外延流体动力学
