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冯现徉

作品数:10 被引量:54H指数:5
供职机构:济南大学更多>>
发文基金:山东省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇光学
  • 7篇光学性
  • 5篇第一性原理
  • 5篇电子结构
  • 5篇态密度
  • 5篇子结构
  • 5篇光学性质
  • 4篇SNO
  • 4篇掺杂
  • 3篇晶格
  • 3篇光电
  • 3篇超晶格
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电性质
  • 2篇介电函数
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性质
  • 1篇导热
  • 1篇导热性能
  • 1篇导体

机构

  • 10篇济南大学
  • 1篇山东建筑大学

作者

  • 10篇冯现徉
  • 9篇王培吉
  • 7篇张昌文
  • 7篇逯瑶
  • 6篇张国莲
  • 5篇蒋雷
  • 1篇李萍
  • 1篇宫丽
  • 1篇王喆
  • 1篇范素华
  • 1篇张奉军

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
过渡金属掺杂SnO_2超晶格磁学和光学性质的研究被引量:3
2014年
基于密度泛函理论的第-性原理,采用全势线性缀加平面波方法(FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了n 层过渡金属Cr掺杂SnO2 超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质(n=1,2,3).结果表明,掺杂使材料均表现出了半金属性,并且导电性和磁矩随着n 的增大而增强.掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态,Cr的加入使O 的态密度产生了自旋极化现象.在0~1.8eV 处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n 的增加而向高能方向推移,在1.8~7.0eV 处所形成峰的峰值随着n 的增大而增加,在7.0~17.0eV 处所形成的峰的峰值随着n 的增大而减小.
王喆冯现徉王培吉
关键词:超晶格态密度
纳米结构氧化锌材料光电性能的研究
氧化锌(ZnO)材料是一种自激活宽禁带半导体材料,具有六角纤锌矿结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子结合能更是达到60meV。它具有优异的光电性能,在很多领域得到广泛应用,诸如:紫外探测器、发光二极管、激光器、表面声...
冯现徉
关键词:密度泛函理论电子结构光学性质
文献传递
镧掺杂Sr_(0.4)Ba_(0.6)TiO_3材料的导热性能
2012年
研究了不同镧掺杂浓度下Sr0.4Ba0.6TiO3材料的导热性能,研究镧元素对其导热性能的影响,得到了不同掺杂量下钛酸锶钡材料的热导率,材料密度随烧结温度与成型压力的增加而增大;同时发现少量镧元素的掺杂,可以增加钛酸锶钡材料的热导率;当镧元素掺杂量较大时,降低了材料的热导率。钛酸锶钡材料的电子热导率随材料烧结温度的升高基本不变,声子热导率随材料烧结温度的升高而增加。
冯现徉王培吉李萍张奉军范素华
关键词:钛酸锶钡导热性能镧掺杂
In掺杂ZnO光学性质的第一性原理研究被引量:11
2011年
采用线性缀加平面波的方法,对In元素掺杂ZnO电子结构和光学性质进行研究。计算结果表明:掺In后价带上部分折叠态增加,禁带宽度变窄。不同量In掺杂ZnO与未掺杂时相比,折射率、反射率及消光系数均有明显变化,介电函数虚部向高能量方向移动,而折射率、反射率、吸收系数、消光系数均向低能量方向移动。从理论上指出了光学性质和电子结构之间的联系。
冯现徉王培吉张昌文逯瑶蒋雷张国莲
关键词:第一性原理电子结构光学性质介电函数
In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究被引量:7
2012年
采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法,计算了超晶格ZnO掺In的光学性质.计算结果表明,掺入In元素后Fermi能级进入导带,介电函数、吸收系数、折射率、反射率都在Fermi面附近产生新的跃迁峰.随着掺杂层数的增多,跃迁峰发生红移,当掺杂两层In时跃迁峰峰值最大,同时吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小.与In掺杂ZnO超晶胞相比,ZnO超晶格在可见光范围内具有高透过率的特点.
冯现徉逯瑶蒋雷张国莲张昌文王培吉
关键词:超晶格态密度光学性质
Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析被引量:17
2012年
本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
关键词:电子结构态密度光学性质
Sn_(1-x)N_xO_2材料光电性质的研究
2011年
基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似(GGA)下的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部。计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动,随着掺杂量的增加,Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强,禁带宽度逐渐减小,并且在1.35~2.50 eV的能量范围上形成了杂质带,其主要来源是N的2p态上的电子。分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体,掺杂后其介电函数谱和折射率也与带隙相对应地发生红移,介电谱的跃迁峰与电子从价带到导带的跃迁有关,从理论上指出光学性质与电子结构之间的内在关系。
张国莲逯瑶冯现徉张昌文王培吉
关键词:光电性质第一性原理
第一性原理研究Fe掺杂SnO_2材料的光电性质被引量:14
2011年
采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,研究Fe掺杂SnO2材料电子结构和光学性质,包括电子态密度、能带结构、介电函数和其他一些光学图谱.研究结果表明,掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随掺杂浓度增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质.光学谱线(吸收谱、消光系数等)与介电函数虚部谱线相对应,均发生蓝移,各峰值与电子跃迁吸收有关,从理论上指出光学性质和电子结构的内在联系.
逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
关键词:态密度介电函数
Ta掺杂对ZnO光电材料性能影响的研究被引量:2
2012年
采用基于密度泛函理论第一性原理的方法,研究了Ta掺杂ZnO的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺入Ta原子后,费米能级进入导带,随着掺杂浓度的增加,带隙逐渐变窄,介电函数虚部、吸收系数、反射率和折射率均发生明显变化,介电函数虚部和反射率均向高能方向移动,吸收边发生红移,从理论上指出了光学性质和电子结构的内在联系.
宫丽冯现徉逯瑶张昌文王培吉
关键词:第一性原理电子结构光学性质
超晶格SnO_2掺Cr的电子结构和光学性质的研究被引量:10
2011年
基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法(FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构、介电函数、吸收系数、反射率和折射率.研究表明由于Cr的掺入,超晶格SnO2在费米能级附近形成了新的电子占据态,出现了不连续的杂质能带,这是由Cr-3d态和O-2p,Sn-5s态电子所形成.介电谱在0—5.5eV之间时出现了三个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减小.吸收谱、反射谱和折射谱也出现了与介电谱相应的峰,各谱峰的出现是由Cr的d—d跃迁所引起的.
蒋雷王培吉张昌文冯现徉逯瑶张国莲
关键词:超晶格第一性原理态密度电子结构
共1页<1>
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